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BluGlass新GaN制备工艺实现成本节约

导读: BluGlass委托的独立公司-Williams & Kelly (WWK)对使用RPCVD(遥控等离子化学气相沉积)在玻璃衬底上沉积的GaN LED与MOCVD法制备的LED进行了建模比较,发现前者将外延片的生产成本降低了48%,单个LED的成本也下降了10%。

     BluGlass委托的独立公司-Williams & Kelly (WWK)对使用RPCVD(遥控等离子化学气相沉积)在玻璃衬底上沉积的GaN LED与MOCVD法制备的LED进行了建模比较,发现前者将外延片的生产成本降低了48%,单个LED的成本也下降了10%。

  由于RPCVD使用氮代替氨气并将蓝宝石衬底变成玻璃衬底,使得材料和一次性费用减少了70%。而RPCVD本身工作温度比MOCVD低,这意味着七年寿命周期后其运行成本将比MOCVD少800万美元。

  但RPCVD法在芯片级实现的成本节约却不太明显。假定蓝宝石上GaN (GaN-on-sapphire)外延片和玻璃板上GaN(GaN-on-glass)外延片的后端加工成本相同,WWK的模型显示RPCVD法制备的LED芯片成本仅比传统蓝光LED芯片低10%。(http://compoundsemiconductor.net/articles/news/11/4/4/1

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