侵权投诉
当前位置:

OFweek半导体照明网

材料配件

正文

日立电线确认生产出3英寸GaN衬底

导读: 2007年4月24日,日立电线株式会社(Hitachi Cable)确认已成功制备出直径3英寸的GaN衬底。

  2007年4月24日,日立电线株式会社(Hitachi Cable)确认已成功制备出直径3英寸的GaN衬底。

  衬底尺寸的放大得益于日立电线的“间隙形成剥离法(VAS: Void Assisted Separation)”新技术,该技术首先在蓝宝石衬底上生长GaN薄膜,再在GaN薄膜上沉积氮化钛膜,然后将其在混合气体中加热使GaN分解,使GaN薄膜与金属膜的接触面产生间隙,然后用HVPE法在这层氮化钛膜上生长更厚的GaN膜。

  空隙层在这里起到降低由晶格常数不同引起的应力效应、提高晶体质量、降低GaN厚膜的缺陷密度和翘曲效应的作用,而空隙层的低机械强度允许自支撑、大尺寸GaN晶片的直接剥离。

  新工艺目前仍处于研究阶段,还不能进行商业化推广。对于4英寸衬底,日立电线称并无任何明确的计划,待深入了解客户需求后,再进行开发。(http://compoundsemiconductor.net/articles/news/11/4/20/1

声明: 本文由入驻OFweek公众平台的作者撰写,除OFweek官方账号外,观点仅代表作者本人,不代表OFweek立场。如有侵权或其他问题,请联系举报。

我来说两句

(共0条评论,0人参与)

请输入评论

请输入评论/评论长度6~500个字

您提交的评论过于频繁,请输入验证码继续

暂无评论

暂无评论

OFweek品牌展厅

365天全天候线上展厅

我要展示 >
  • 照明设计
  • 照明结构
  • 照明工程
  • 猎头职位
更多
X
文章纠错
x
*文字标题:
*纠错内容:
联系邮箱:
*验 证 码: