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Quanlight融资300万将掺氮LED技术向商业化转移

导读:   2007年5月29日,加州大学圣地亚哥分校(UCSD)分离公司Quanlight称其新材料技术将提高红光LED的亮度和波长稳定性、降低成本,公司刚在风险投资中[由Blackbird Ventures 和(SHW)2主持,Blackbird的执行总裁成为Quanlight的CEO]获得3

       2007年5月29日,加州大学圣地亚哥分校(UCSD)分离公司Quanlight称其新材料技术将提高红光LED的亮度和波长稳定性、降低成本,公司刚在风险投资中[由Blackbird Ventures 和(SHW)2主持,Blackbird的执行总裁成为Quanlight的CEO]获得300万美元的资金,这些钱足以将这一新技术由研发阶段转化为初始晶片生产。

          Quanlight的技术基于一个掺有百分之几氮的InGaNP材料系统,是通过在GaP衬底上进行假晶生长制得的,这一生长方式无需晶片键合。假晶生长意味着GaP和InGaNP之间存在着很小的晶格失配,但不足以在外延片中产生引起麻烦的应力。

          InGaNP的内在特性要优于被广泛用于红、黄、橙光LED的AlInGaP材料,这些特性包括更大的价带偏移,并由此使器件拥有更好的波长稳定性,在高电流密度及/或高温下亮度更高。

          掺氮方法之前也曾用于商业应用,特别是光纤通信中的长波长激光器,但成功程度有限。Quanlight的方法却与之有所不同:MOCVD法生长的InGaNAs材料中铟含量高达40%,用以激发激光器发出1.3µm的光。这导致了外延层中应力很大,从而缩短了器件寿命,降低了稳定性。而InGaNP中铟的浓度要低得多,避免了上述问题。

          在国际权威物理学期刊《Applied Physics Letters》上,Quanlight对MBE法InGaNP外延生长及随后的LED芯片制备进行了描述。但为了实现LED的商业化生产,Quanlight正将这一外延生长工艺转接到MOCVD平台上,并使用3英寸GaP衬底。 Quanlight称目前所有技术上的里程碑均已达到,转化过程进展顺利,芯片的最优化则正在进行中。

          Quanlight公司正在使用的,是用传统LEC(液封直拉法)生产的GaP材料。公司与衬底制造商PVA Tepla的合作将有望使用VGF(垂直梯度冷凝,Vertical Gradient Freeze)工艺生产出缺陷密度更低的晶体。

         在融资的帮助下,Quanlight希望今年底完成对红光LED的开发,其生产定于08年初。公司可能会进行技术授权或外包生产,并无超越外延业务的意图。
 

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