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美国Cree介绍蓝色LED芯片开发状况

导读: 美国Cree公司在2007年6月14~15日“日经电子”和“日经微器件”共同举办的“LED技术研讨会2007”上,介绍了SiC底板上形成的蓝色LED的开发状况。

      美国Cree公司在2007年6月14~15日“日经电子”和“日经微器件”共同举办的“LED技术研讨会2007”上,介绍了SiC底板上形成的蓝色LED的开发状况。

  关于蓝色LED的光输出功率,Cree预测表示,输入电流为20mA的产品方面,最大的光输出功率07年7月将达36mW、08年7月将达40mW、09年7月将提高到44mW。输入电流为350mA的产品方面,最大光输出效率07年1月为340mW,预计08年1月将达420mW、09年1月将为400mW(以上?)、09年10月将达到550mW,一路提高下去。与荧光材料组合而成的白色LED方面,目前量产产品的发光效率为80lm/W,开发产品则达到了120lm/W。09年量产产品将实现发光效率120lm/W。

  Cree公司展示了开发中的蓝色LED芯片的结构。它在SiC底板上使GaN发生外延生长(Epitaxial Growth)。芯片结构为,不采用下部电极而从表面实现正负极连接的2线焊(Wire Bonding)连接倒装芯片(Flip Chip)结构。由于没有下部电极,所以发光层发出的光在GaN层内不再发生反复反射,与此前的芯片结构相比,将光取出芯片外的效率(光取出效率)将会提高。

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