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同和电子开发出波长为325~350nm的深紫外LED

导读: 同和电子(DOWA Electronics)宣布,开发成功了发光波长为325~350nm的深紫外LED。比目前市售的紫外LED发光波长短,“实现了该波长范围全球最高水平的输出功率”。

   同和电子(DOWA Electronics)宣布,开发成功了发光波长为325~350nm的深紫外LED。比目前市售的紫外LED发光波长短,“实现了该波长范围全球最高水平的输出功率”。

   同和电子开发的深紫外LED芯片。采用了在蓝宝石底板上高温外延生成的AIN层模板,并结合使用从美国帕洛阿尔托研究中心(Palo Alto Research Center)引进的紫外LED外延生长技术。同和电子具有制造高品质AIN模板的技术,该公司介绍说,用AIN模板作为缓冲层,可有效降低促使结晶生长的氮化镓(GaN)材料的变形。
  
   目前,该公司正在进行旨在实现深紫外LED量产的试验。力争2008年度内开始样品供货.

   (编辑:xiaoyao)

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