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国外首次在200mm硅晶圆上生长出高质量的AlGaN/GaN异质结构

导读: 欧洲独立的纳米电子研究中心IMEC与MOCVD设备供应商AIXTRON公司日前宣布,首次在200mm硅晶圆上成功生长出高质量高均匀性的AlGaN/GaN异质结构

  欧洲独立的纳米电子研究中心IMEC与MOCVD设备供应商AIXTRON公司日前宣布,首次在200mm硅晶圆上成功生长出高质量高均匀性的AlGaN/GaN异质结构.

  AlGaN/GaN异质结构在AIXTRON应用试验室中的300mm CRIUS MOCVD设备中生长得到,生长层具有良好结晶质量、表面形貌及高均匀度。
200mm硅衬底上成功生长出高质量GaN意义重大,为向大面积Si衬底上制作GaN器件迈出了一大步,IMEC高效功率项目经理Marianne Germain表示,在功率转换领域,GaN基固态开关器件需求强劲。然而,GaN器件的推广急需成本的降低。唯一可行的方案就是在大面积硅晶圆上生长GaN。150mm及200mm是目前较小的尺寸来进行硅衬底生长工艺。生长后晶圆弯曲较严重,大约100um。但是IMEC相信能够通过缓冲层进一步工艺来减小弯曲。我们将进一步合作探索生长工艺,得到满足Si-CMOS要求的材料。
 
  The thickness uniformity map of a 1 µm GaN layer deposited on a 200 mm Si (111) substrate using an AlN/AlGaN buffer. The average thickness measured in situ is 1008 nm for the full wafer excluding a 5 mm edge.
相关链接(英文):http://www.semiconductor.net/article/CA6566628.html(小汤)

 

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