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蓝色发光二极管晶片制备技术的一些缺陷

导读: 现在LED晶片厂商在制作LED蓝色芯片工艺大致分四种:

  现在LED晶片厂商在制作LED蓝色芯片工艺大致分四种:

  1. 蓝宝石衬底GaN基质LED
  这是大多数晶片厂商常用方式,尽管还在提高材料生长和器件的制作水平,但蓝宝石衬底不导电,导热性能差、划片困难,抗静电力差,倒装焊工艺复杂,并且横向电阻大,高电流密度下工作电压高,浪费能耗。

  2.碳化硅衬底GaN基质LED
  由于衬底导电且导热,目前半导体照明芯片占优势,不过其价格太高,且划片困难。

  3.GaN衬底GaN基质LED
  这种工艺在外延材料质量可以明显提到,但价格存在太高,且器件加工困难。

  4.硅片做GaN材料衬底
  此工艺能使晶片具有良好导电性,晶体质量高,尺寸大成本低,易加工。但GaN外延材料与硅衬底之间巨大的晶格失配和热失配,因此硅衬底上难得器件质量的GaN材料(小汤)
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