当前位置:

OFweek半导体照明网

LED照明

正文

GaN非极性/半极性LED与激光二极管新进展

导读: UCSB 的Shuji Nakamura教授在题为《非极性/半极性LED和LD的发展现状》的报告中介绍了极性c面LED和用Ammonothermal方法生长GaN块等相关问题。

    UCSB 的Shuji Nakamura教授在题为《非极性/半极性LED和LD的发展现状》的报告中介绍了极性c面LED和用Ammonothermal方法生长GaN块等相关问题。


    他预计08-09年间日亚的技术将在色温4988K、正向脉冲电压2.8V和电流50mA下达到光通量163lm/W; 而UCSB将在直流电压3.6V下达到光通量150lm/W,脉冲输入下达到光通量168lm/W,而在色温4002K、正向脉冲电压2.8V和电流20mA下达到光通量193lm/W。


    3种产生白光的方法中,蓝光GaN LED激发红/绿荧光粉技术在2007年达到150lm/W,远远高于2005年的100lm/W。对比教授去年的报告,不难发现他已将研究的重点从 μCone LEDs 转移到GaN块生长问题上,且更多地尝试了m面非极性衬底材料和c面蓝光InGaN LED。非极性LED,创造了历史性的突破,并获得了45%的外电子效率。


    (助编:xiaohu)

声明: 本文由入驻OFweek公众平台的作者撰写,除OFweek官方账号外,观点仅代表作者本人,不代表OFweek立场。如有侵权或其他问题,请联系举报。

我来说两句

(共0条评论,0人参与)

请输入评论

请输入评论/评论长度6~500个字

您提交的评论过于频繁,请输入验证码继续

暂无评论

暂无评论

  • 照明设计
  • 照明结构
  • 照明工程
  • 猎头职位
更多
文章纠错
x
*文字标题:
*纠错内容:
联系邮箱:
*验 证 码: