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倒装焊结构发光二极管及其制造方法概要

导读: 本发明公开了倒装焊结构发光二极管及其制造方法

    本发明公开了倒装焊结构发光二极管及其制造方法,包括:在散热基板上制作第一金属层,并分别形成p电极区和n电极区;在所述第一金属层上形成金属凸点阵列;在LED芯片的p、n电极上形成第二金属层;将所述LED芯片的p电极和n电极分别对应所述散热基板上的p电极区和n电极区键合,并对相接触的第二金属层和金属凸点阵列加压、加超声、加热。本发明的倒装焊结构发光二极管,包括:一散热基板;第一金属层,位于所述散热基板之上,包括了p电极区和n电极区;金属凸点阵列,位于所述第一金属层上的p电极区之上;LED芯片,所述LED芯片的n电极位于所述第一金属层的所述n电极区之上,所述LED芯片的p电极位于所述第一金属层的所述p电极区之上。
 
 
    (助编:xiaohu)
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