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Nitride Semiconductor开发出48mW的紫外线LED灯

导读: 从事紫外线LED业务的日本Nitride Semiconductor开发出施加100mA电流时,光功率高达48mW的表面封装型紫外线LED灯“NS375L-4SFG”。

    从事紫外线LED业务的日本Nitride Semiconductor开发出施加100mA电流时,光功率高达48mW的表面封装型紫外线LED灯“NS375L-4SFG”。输出波长为375~380nm。原产品“NS375L-7SFF”施加20mA的电流时,光功率为3.5mW。芯片尺寸增大到4倍以上,从原产品的280μm×280μm扩大到目前的600μm×600μm。


    所开发的紫外线LED灯的角度为120度。外形尺寸为4.2mm×4.2mm×1.3mm。工作温度范围为-30~+80℃。将于2008年12月开始样品供货。


    (助编:xiaohu)

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