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863计划“基于SiC衬底的大功率GaN基LED制造技术”课题通过验收

导读: 在“十一五”863计划“半导体照明工程”重大项目的支持下,山东华光光电子有限公司承担的“基于SiC衬底的大功率GaN基LED制造技术”课题取得重要突破,近日顺利通过验收。

  在“十一五”863计划“半导体照明工程”重大项目的支持下,山东华光光电子有限公司承担的“基于SiC衬底的大功率GaN基LED制造技术”课题取得重要突破,近日顺利通过验收。

     该课题重点研究了SiC衬底成核层生长、衬底去除、反射镜制备、表面粗化、欧姆电极制备和芯片切割等关键技术,在EBL层Al组分渐变、非对称量子垒、极化效应抑制等技术方面实现了突破与创新。课题研发的SiC基大功率LED芯片,光输出功率达到350mW以上,封装后白光光效达到109lm/W。目前,课题承担单位已对LED芯片进行了小批量生产,产品质量稳定。

     该课题的顺利实施,将进一步推动我国基于SiC衬底半导体照明技术的发展,为缩小与国外高端产品的差距奠定了良好基础。
 

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