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解析:Si衬底LED芯片制造和封装技术

导读: 目前日本日亚公司垄断了蓝宝石衬底上GaN基LED专利技术,美国CREE公司垄断了SiC衬底上GaN基LED专利技术。因此,研发其他衬底上的GaN基LED生产技术成为国际上的一个热点。

  目前日本日亚公司垄断了蓝宝石衬底上GaN基LED专利技术,美国CREE公司垄断了SiC衬底上GaN基LED专利技术。因此,研发其他衬底上的GaN基LED生产技术成为国际上的一个热点。

  1 Si衬底LED芯片制造

  1.1 技术路线

  在si衬底上生长GaN,制作LED蓝光芯片。

  工艺流程:在si衬底上生长AlN缓冲层→生长n型GaN→生长InGaN多量子阱发光层→生长P型AlGaN层→生长p型GaN层→键合带Ag反光层并形成p型欧姆接触电极→剥离衬底并去除缓冲层→制作n型掺si层的欧姆接触电极→合金→钝化→划片→测试→包装。

  1.2 主要制造工艺

  si衬底GaN基LED芯片结构图见图1。

图1 si衬底GaN基LED芯片结构图

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