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详解:超高辉度4元红光LED特性

导读: 本文要介绍可以减低发光二极管基板的光损失,设有金属反射膜层、高辉度、发光效率是传统结构发光二极管的4倍、48 lm/W的AlGaInP 4元红光发光二极管的发光效率提升手法,以及金属反射膜发光二极管(MR-LED)的电气光学等各种特性。

  发光二极管(LED)可以将电气转换成直接光,因此发光二极管被归类成半导体固态组件。

  发光二极管充分发挥不需使用彩色滤光膜片,可以直接取出特定颜色的光线与低电压驱动的优点,目前已经广泛被当作各种电子机器的显示用光源,应用在各式各样的领域。

  最近几年发光二极管的发光效率提升,加上蓝光与绿光发光二极管的实用化,如图1所示,发光二极管已经成为交通号志灯、汽车尾部组合灯(Rear combination lamp)、液晶显示器用背光照明模块,各种显示与照明的主要光源,持续拓展应用范围。

 

 
   接着本文要介绍可以减低发光二极管基板的光损失,设有金属反射膜层、高辉度、发光效率是传统结构发光二极管的4倍、48 lm/W的AlGaInP 4元红光发光二极管的发光效率提升手法,以及金属反射膜发光二极管(MR-LED)的电气光学等各种特性。

  发展历程

  传统红光发光二极管用半导体晶圆,除了AlGaAs磊晶硅晶圆 (Epitaxial wafer) 之外,AlGaInP磊晶硅晶圆已经商品化。

  若在AlGaInP磊晶硅晶圆表面,制作电极再切割成晶粒状(Die),就可以制成发光二极管芯片,不过传统结构发光二极管受到底部基板的影响,光吸收损失非常大,一般认为12 lm/W得发光效率是红光发光二极管的最大极限。

  有鉴于此研究人员在发光二极管组件内部设置金属反射膜(MR: Metal Reflector),开发全新结构的红光发光二极管,达成发光效率48 lm/W,比传统结构提高4倍的高效率化宿愿。

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