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LED外延/芯片

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分析:高辉度4元系LED芯片技术与制作方法

导读: 目前这些发光效率超越传统荧光灯、白热灯泡的LED已经陆续商品化,同时还持续拓展市场规模与应用领域。接着本文要深入探讨广泛应用在各种领域的4元系AlGaInP红光LED芯片,高辉度技术与制作方法。

  前言

        最近几年发光二极管(LED)的发光效率获得大幅改善,由于发光二极管具备低消费电力与长寿命特征,一般认为未来发光二极管可望成为次世代省能源照明光源。长久以来发光二极管的发展动向一直备受全球高度期待,特别是使用高发光效率InGaN系发光层的蓝光,以及使用绿光高输出LED,与4 元系AlGaInP发光层的黄光、橙光、红光的高辉度LED,顿时成为全球注目的焦点。
 
        目前这些发光效率超越传统荧光灯、白热灯泡的LED已经陆续商品化,同时还持续拓展市场规模与应用领域。接着本文要深入探讨广泛应用在各种领域的4元系AlGaInP红光LED芯片,高辉度技术与制作方法。
 
  芯片特征

        LED芯片属于具备发光功能的二极管,它的外形尺寸大约只有0.2~1mm呈长方形。如图1(b)所示商品化LED是将LED芯片固定在封装基板与导线架上,铺设金线后再以透明树脂密封包覆。LED依照用途封装成炮弹型、正面、侧面出光表面型,以及考虑散热性的大电力用灯泡型等各种形状。

 
        LED芯片本身也有许多种类,依照封装组立方式的不同,LED芯片的结构也截然不同。此外LED芯片的尺寸必需根据使用电力选择。图1(a)是铜凸块(Bump)方式,使用覆晶(Flip Chip Type)LED的断面结构图。LED的特性取决于LED芯片的发光性能、封装后的取光效率、集光技术,因此芯片的高辉度化、封装的高性能化、芯片与封装的组合优化设计都非常重要。

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