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国星光电:新获关于晶圆级封装专利!

导读: 2015年7月21日国星光电公告,公司于近日取得一项发明专利,并获得了由国家知识产权局颁发的专利证书,专利名称用于在晶圆级封装中暴露电极的方法及掩膜版,专利号ZL201210194780.9,专利期限20年。

  2015年7月21日国星光电公告,公司于近日取得一项发明专利,并获得了由国家知识产权局颁发的专利证书,专利名称用于在晶圆级封装中暴露电极的方法及掩膜版,专利号ZL201210194780.9,专利期限20年。

  对于国星光电而言,这将是机遇与挑战并存。此次专利的取得不会对公司生产经营产生重大影响,但有利于保护和发挥公司自主知识产权优势,形成持续创新机制,保持技术领先地位,提升公司的核心竞争力。

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