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半导体新器件预计2017年量产 上海芯元基又获里程碑突破

导读: 上海芯元基采用先进的晶元级封装技术,结合具有自主知识产权的复合图形衬底(DPSS)以及化学剥离和晶元级芯片转移技术,开发出了一种键合在玻璃基板上的薄膜倒装结构器件(TFFCOG)。

  上海芯元基采用先进的晶元级封装技术,结合具有自主知识产权的复合图形衬底(DPSS)以及化学剥离和晶元级芯片转移技术,开发出了一种键合在玻璃基板上的薄膜倒装结构器件(TFFCOG)。该器件的结构如附图所示自上而下为:薄膜倒装芯片、玻璃衬底,器件的四周除出光面之外都具有反射腔结构,形成带反射腔的封装器件。

  器件具有以下优势:1、采用反射镜的腔体结构,使整个器件的光由单一方向出射,极大的提高了光的出射密度;2、采用容易加工出光结构的透明玻璃基板作为出光通道,采用金属电极做为散热通道,提高了器件的发光效率和稳定性;3、采用晶元级封装技术,器件的最终尺寸与芯片的尺寸相当;4、不需要进行常规封装,可降低成本三分之一以上。

  上海芯元基的化学剥离衬底技术和晶元级芯片转移技术是制造Micro LED Display的核心技术,不仅可用运于半导体照明产业,同样可用运于半导体功率电子器件,对发展我国第三代半导体材料技术意义重大,目前已经完成了相关专利的全球布局及商标注册,预计2017年初可实现量产。

  附图:

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