侵权投诉
订阅
纠错
加入自媒体

晶能光电成功研制硅衬底高功率InGaN LED

2009-09-18 19:08
瑾年Invader
关注

  长期潜心研究硅衬底LED的江西晶能光电日前演示了基于硅衬底的高功率InGaN LED,据说性能接近于采用传统衬底生长的LED。

  据了解,晶能光电长期致力于研制GaN-on-Si MOCVD生长技术,该公司总部坐落于江西南昌,本次演示的是一款冷白光LED,在350mA电流下光输出超过100流明,采用1x1mm芯片。

  目前绝大多数LED的生产是在一个蓝宝石或碳化硅衬底上沉淀多层GaN薄膜,而晶能认为,基于硅衬底生长的LED在成本节约和控制上将发挥更大潜力,并且性能丝毫不亚于传统工艺制作的LED。

  晶能光电目前已经获得来自美国,台湾和新加坡多家风险投资基金提供的5000多万美元的投资,包括Mayfield, GSR Ventures, Asiavest以及Tomasek。该公司目前用于显示领域的小尺寸管芯(200-micron)已经进入量产阶段。



  最新的1x1mm 芯片研发成果将在第八届国际氮化物半导体会议上公布,本次会议将于2009年10月18日-23日在韩国济州岛举行。

  结果描述了一种生长于硅衬底(111)的高功率、倒装焊(Flip-Chip)、立式精密注塑(Vertical Injection)薄膜蓝光和白光InGaN/GaN LED,尽管该公司也宣布开始采用6英寸晶园,不过本次却采用2英寸衬底。(编译:于占涛)

 

声明: 本文由入驻维科号的作者撰写,观点仅代表作者本人,不代表OFweek立场。如有侵权或其他问题,请联系举报。

发表评论

0条评论,0人参与

请输入评论内容...

请输入评论/评论长度6~500个字

您提交的评论过于频繁,请输入验证码继续

暂无评论

暂无评论

文章纠错
x
*文字标题:
*纠错内容:
联系邮箱:
*验 证 码:

粤公网安备 44030502002758号