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台积电推出新工艺LED驱动IC工作电压可达60V

2009-12-16 10:53
野明月
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  台积电15日推出模块化BCD(Bipolar,CMOS DMOS)工艺,将可为客户生产整合的高压LED驱动集成电路产品。

  这一新的BCD工艺特色在于提供12伏至60伏的工作电压范围,可支持多种LED的应用,包括:LCD平面显示器的背光源、LED显示器、一般照明与车用照明等,且工艺横跨0.6微米至0.18微米,并有数个数字核心模快可供选择,适合不同的数字控制电路闸密度。此外,也提供CyberShuttleTM共乘试制服务,支持0.25微米与0.18微米工艺的初步功能验证。

  借着新工艺所提供的多项整合特色,可减少系统产品的物料清单。高压DMOS不仅提供MOSFET开关整合,降低零组件数目外,其他可被整合的零组件还包括:高电压双载子电晶体、高电压/高精密电容器、高电阻多晶硅齐纳二极体(Zenerdiode)等,也可降低外部零组件数,并显著地缩小电路板的面积。

  DMOS工艺支持专业集成电路制造中领先的漏极至源极导通电阻(Rdson)效能(例如:对一特定的60V NLDMOS元件,当BV>80V时,其Rdson为72mohm-mm2)以及其高电流驱动能力,可由元件尺寸的最佳化来提升功率效率;可靠的安全操作区域(SOA)也能让功率开关与驱动电路更为理想;还有更多详细的特性分析亦可作为有用的参考,使IC设计能达到最佳的芯片尺寸及设计预算。

  在COMS方面,5伏工作电压能支持占空比脉冲宽度调变器(PulseWidthModulationcontroller)的设计,而2.5伏及1.8伏的逻辑核心,则通用于较高层次的数字整合。除此之外,与逻辑线路相容、单次写入及多次写入均可的记忆体选项,也可提供强化的数字程式设计使用。

  台积电工业电子开发处刘信生处长指出,就驱动元件整合来说,新的LED驱动IC的BCD工艺是非常尖端的技术,其相关的工艺设计套件(PDKs)强调高度精准的SPICE模型,提供单芯片设计更多的方便性。除此之外,MismatchingModel可协助提升目前在多通道LED驱动器设计上的精准度。(编辑:仰望星空)

声明: 本文由入驻维科号的作者撰写,观点仅代表作者本人,不代表OFweek立场。如有侵权或其他问题,请联系举报。

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