侵权投诉
订阅
纠错
加入自媒体

MOCVD激增引发LED产业风险 硬件设备待突破

2010-09-15 09:31
华静一
关注

  目前,由于GaN基LED的质量和价格的原因,还只能是在特种照明上起作用。努力提高质量和降低价格,使之尽快进入普通照明,是一个最重要的任务。
    
     近年来LED光源效率提高很快,过去6、7年间提高了4~5倍,同时成本也在不断下降,而且下降非常快,企业为规避风险在新一轮投资和扩产中应充分考虑这一发展趋势。
   
     当前LED的主要技术问题是提高发光效率、降低光衰与降低成本。从前几年完成的技术指标情况看,半导体照明技术的发展,比原计划快得多。发光效率市场功率LED产品已达130lm/W。     

     当前采购成本高是绿色照明的主要障碍。对中国大陆LED产业发展,建议要让突破性新技术萌芽、成长,新技术不仅是大幅降低成本的手段,而且是自主创新的核心。

     发光二极管(LED)的发明者Holonyak2000年在美国物理学会会刊J.P.S上以“发光二极管是灯的最终形式吗?”为题发表文章称:“原则上发光二极管是灯的最终形式,实际上也是如此,它的发展能够而且将继续到所有功率和颜色都实现为止,了解这一点极为重要。”10年过去了,这一观点正在得到印证。LED照明应用正在快速发展,技术也在不断取得突破。在9月9日召开的“第十二届全国LED产业研讨与学术会议”上,我们看到,我国LED工艺技术取得了快速进步,但同时,硬件设备正在成为发展瓶颈,特别是MOCVD(有机金属化学气相沉积)等核心设备正在制约产业的发展。

     工艺技术进步快硬件设备待突破

     “第十二届全国LED产业研讨与学术会议”近日在深圳召开,作为全国性重大学术会议,研讨会全面展示了LED全产业链的最新研究成果。从学术会议的报告中,我们感到,我国LED工艺技术确实进步较快,特别是硅衬底LED的快速进步,引来业界众多关注的目光。在LED工艺技术快速推进的同时,硬件设备却未见突破,核心装备特别是MOCVD设备正在成为产业发展瓶颈。由MOCVD设备引发的投资热潮,正在成为业界普遍关心的焦点问题。

     自2003年国家启动半导体照明工程以来,我国半导体照明产业和技术取得显著进步,初步形成了上中下游比较完整的研发和产业体系,进入快速发展阶段。以企业为主体的LED制造技术进步较快,企业产业化线上完成的功率型芯片封装后光效达到80lm/W~100lm/W。具有自主知识产权的功率型Si衬底LED芯片封装后光效达到78lm/W,处于国际先进水平。

  目前国际上GaN基LED产业主流的衬底是蓝宝石,也有少量公司使用SiC衬底及Si衬底。Si衬底价格低廉,导电性能优良,但是Si与GaN的失配很大,外延出的GaN位错密度较高,而且很容易发生龟裂,要获得高质量的GaN外延层非常困难。最近南昌大学在Si衬底上生长GaN基蓝光LED方面取得了较大进展,光效达到了116.7流明,达到了同类产品的最高水平。

1  2  下一页>  
声明: 本文由入驻维科号的作者撰写,观点仅代表作者本人,不代表OFweek立场。如有侵权或其他问题,请联系举报。

发表评论

0条评论,0人参与

请输入评论内容...

请输入评论/评论长度6~500个字

您提交的评论过于频繁,请输入验证码继续

暂无评论

暂无评论

文章纠错
x
*文字标题:
*纠错内容:
联系邮箱:
*验 证 码:

粤公网安备 44030502002758号