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欧司朗研发出新型LED结构 大幅提高量子效率

2010-10-14 11:49
逆光飞舞
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        德国欧司朗光电半导体(OSRAM Opto Semiconductors GmbH)开发出了新型LED结构「UX:3」。该结构不仅能够大幅提高蓝光LED等GaN类LED的外部量子效率,而且还可大幅抑制LED在通过大电流时发光效率下降的公认课题。通过减少不伴随发光的非放射再结合——「俄歇复合」,可抑制发光效率的下降。

        欧司朗介绍,UX:3在LED芯片内部嵌入n型接触电极,通过贯通孔与n型GaN类半导体层进行电连接。可降低电流密度的效果,从而减少了俄歇复合。并还加厚了作为发光部分的活性层,降低了载流子密度。

        采用UX:3的蓝光LED芯片,其光输出功率在芯片为1mm见方的情况下投入350mA电流时比ThinGaN大约高10%。投入电流越多,UX:3和ThinGaN的差距就越大。使用这种蓝光LED芯片的白光LED,其发光效率可达到136lm/W。
  
        UX:3将作为ThinGaN的进化版,从投入大电流的高端蓝光LED、白光LED及绿光LED开始采用。首先将推出手机摄像头闪光灯使用的产品,并于2010年内发佈面向普通照明用途的产品。

        目前打算在1mm见方的大尺寸芯片上采用UX:3,不过在技术成熟后,还有可能在标准尺寸的芯片上使用UX:3。

      【编辑:Vessel 】

 

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