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大功率LED关键材料GaN开始侵食硅功率MOSFET市场

2010-11-04 09:30
人在旅途20
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        超级半导体材料GaN(氮化镓)的时代正开启。它比传统的硅和GaAs(砷化镓)更加耐压,已成为大功率LED的关键材料之一,并在射频领域中受宠,其中包括Cree、RFMD以及Eudyna和Nitronex推出针对这些市场的GaN产品。另外包括IR、ST、富士通、松下,以及新晋的EPC(宜普)公司等都介入到GaN器件市场。iSuppli数据预测GaN器件的TAM到2013年达到109亿美元,而EPC产品的潜在市场价值70亿美元并将以11.1%的年增长率增长,该公司的共同创始人和CEO Alex Lidow如是表示。

        2004年,Eudyna推出基于SiC基板的耗尽型GaN射频晶体管;随后Nitronex推出硅基耗尽型GaN射频晶体管。而IR年初也推出的其首款硅基GaN功率器件――耗尽型的iP2010和iP2011。而与竞争产品不同,EPC推出了增强型GaN功率晶体管,其硅基GaN技术建立于150mm晶圆的标准硅CMOS工艺。在GaN和硅基底中间,有一个氮化铝隔离层(见图1)。

        据Alex介绍,其产品最潜在的市场机遇是替换功率MOSFET。

EPC的增强型GaN器件结构

图1:EPC的增强型GaN器件结构,其可以用标准CMOS工艺制造

        有意思的是,EPC与Alex的前东家IR(国际整流器)将在GaN功率市场上共舞,并都断言传统的硅功率MOSFET性能的发掘已到极限。尽管GaN开始侵食功率MOSFET市场,但其供应商决不会轻易将30年来创建的市场拱手相让。Alex认为,5年之内,硅MOSFET仍将活跃在功率市场。

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