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我国紫外LED材料和应用研究取得重要突破

2010-12-28 09:01
Radow
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        “十一五”国家863计划新材料技术领域重大项目“半导体照明工程”课题“深紫外LED 制备和应用技术研究”经过持续攻关,在高铝组分材料研究和器件应用方面取得重要突破。

        半导体深紫外光源在照明、杀菌、医疗、印刷、生化检测、高密度的信息储存和保密通讯等领域具有重大应用价值。以AlGaN材料为有源区的深紫外LED的发光波长能够覆盖210-365nm的紫外波段,是实现该波段深紫外LED器件产品的理想材料,具有其它传统紫外光源无法比拟的优势。

        在国家863计划支持下,课题研究团队集中开展了基于MOCVD的深紫外LED材料和器件研究工作,着重解决材料存在的表面裂纹、晶体质量差、铝组分低、无法实现短波长发光和结构材料设计等问题,在一些关键技术方面取得了突破,获得了高结晶质量无裂纹的高铝组分材料。在此基础上,课题在国内首次成功制备了300nm以下的深紫外LED器件,实现了器件的毫瓦级功率输出,开发了深紫外杀菌模块,经测试杀菌率达到95%以上。

        本课题的实施提升了我国在引领未来的LED前沿技术领域的国际竞争力,有利于我国半导体照明技术的持续发展。

声明: 本文由入驻维科号的作者撰写,观点仅代表作者本人,不代表OFweek立场。如有侵权或其他问题,请联系举报。

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