侵权投诉
订阅
纠错
加入自媒体

SEI公布2英寸GaN衬底新技术 有助提升白光LED性能

2010-12-09 10:50
夜隼008
关注

         CS Online报道:日本住友电工(SEI)表示,已开发出2英寸半极性/非极性GaN衬底材料的批量生产技术,该类型材料用作绿光激光器的衬底以及白光LED衬底。

        对于白光LED以及蓝紫光或蓝光半导体激光二极管来说,一般会采用GaN衬底的c面作为生长晶面。然而,由于带正电的镓(Ga)和带负电氮(N)的原子结构交替,c面则表现出很强的极性,因而降低了发光体在绿光区域的效率。

        自2009年开发出绿光半导体激光器之后,SEI一直在研发半极性和非极性GaN衬底(而非极性的c面GaN)的制造技术,它可以提升绿色激光器和白光LED的性能。经过努力开发,制造技术使得极性衬底材料上的极化效应得到有效抑制,从而提升了器件的发光效率。

        SEI表示,一般地,半极性和非极性GaN衬底是沿着c面晶向采用垂直或者对角切割得到的。然而该方法只针对与相对小的晶体(尺寸仅有几个微米的长方形晶体);如此小的尺寸是提升高效LED器件产量的主要障碍。

        为了突破这个瓶颈,SEI引入了HVPE制造技术用于量产2英寸衬底。SEI表示,采用HVPE制造技术生产出的衬底其位错密度的数量级达到105,这与当今广泛使用的c面衬底数值相当。


 

声明: 本文由入驻维科号的作者撰写,观点仅代表作者本人,不代表OFweek立场。如有侵权或其他问题,请联系举报。

发表评论

0条评论,0人参与

请输入评论内容...

请输入评论/评论长度6~500个字

您提交的评论过于频繁,请输入验证码继续

暂无评论

暂无评论

文章纠错
x
*文字标题:
*纠错内容:
联系邮箱:
*验 证 码:

粤公网安备 44030502002758号