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美国研究出一种可促使LED更有效开发的新技术

2011-02-11 09:41
魏丁小陆
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  OFweek半导体照明网 2月11日消息:据国外报道,LED照明主要依赖于氮化镓薄膜的发光二极管。北卡罗莱纳州立大学发现了一种新的技术,这项技术能将把薄膜中的缺陷降低2~3个数量级。这将提高发光材料的质量,因此,相同的输入电能能够多产生2倍的输出光能,对于低电能输入和紫外发光范围的LED而言,这种增长是非常可观的。

  北卡罗莱纳州立大学Bedair教授和Nadia El-Masry教授的实验是将2微米厚的GaN薄膜的一半厚度嵌入到长2微米宽,0.5微米的空间间隙。研究人员在实验影像中发现,许多缺陷会被吸引并困在这些空隙空间里。这使得空隙空间上减少了许多缺陷。因此,他们有效的在薄膜中放置一些空隙空间后,成功地防止缺陷蔓延到薄膜的其余部位。

  另据了解,如果没有这个空隙技术,每平方厘米的氮化镓薄膜将会有大约1010个缺陷。然而使用了这个技术后,每平方厘米的缺陷将会降到大约107。Bedair教授表示,“虽然这种技术将增加一个额外的制造步骤,但它会制造出更高质量、更有效的发光二极管。”

  【编辑:Vessel 】

声明: 本文由入驻维科号的作者撰写,观点仅代表作者本人,不代表OFweek立场。如有侵权或其他问题,请联系举报。

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