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中山大学采用delta掺杂技术提高氮化物LED的抗静电能力

导读: 日前,中山大学光电材料国家重点实验室的研究人员表示,其采用四层硅delta掺杂的GaN作为n型覆层,显著提高了氮化物LED的抗静电能力,此改善是因外延GaN材料晶体质量的改善和器件电流扩充的提高引起。

  日前,中山大学光电材料国家重点实验室的研究人员表示,其采用四层硅delta掺杂的GaN作为n型覆层,显著提高了氮化物LED的抗静电能力,此改善是因外延GaN材料晶体质量的改善和器件电流扩充的提高引起。

  Delta掺杂技术是在维持氨气流量不变的情况下,通过选择性打开或者关闭三甲基镓和硅烷来实现。采用delta掺杂技术后,LED器件的ESD值从1200伏提高到4000伏以上,而且电功率也明显增大,350mA工作电流下,输出功率提高了12.8%。

  同时,delta掺杂层有效降低了GaN材料中的位错密度,使位错密度从7x107/cm2降低到了3x106/cm2,位错密度的降低使LED反向漏电降低一个数量级,因而增强抗静电能力。

  此外,通过红外显微镜对LED热性能的测试,发现delta掺杂后的LED具有更均匀的电流扩散,因此降低了器件的电流密度,因而提高了抗静电能力。
 
 

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