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用于LED街灯照明系统的高效率高可靠性电源设计(图)

2012-03-21 14:17
Timeless落尘
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  体二极管在很大的dv/dt时会关断,从而产生一个高的反向恢复电流尖峰。这些尖峰要比稳定状态的电流幅度高出10倍。如此大的电流会导致损耗增加,并使MOSFET升温。而结点温度的上升将导致MOSFET的dv/dt性能下降。在极端情况下,可能会损坏MOSFET,并致使系统故障。

图1:根据负载条件发生移动的LLC谐振转换器工作点。

  最新的MOSFET技术

  MOSFET的体二极管一般具有很长的反向恢复时间和很大的反向恢复电荷。尽管性能较差,但这种体二极管常被用作续流二极管,因为其电路简单,在谐振转换器这样的应用中不会增加系统成本。随着越来越多的应用将固有体二极管用作系统中的关键元件,飞兆半导体在深入分析MOSFET故障机制的条件下,为谐振转换器设计出了一款高度优化的功率MOSFET。这种MOSFET提高了体二极管的耐用性,而且输出电容中存储的能量较少。如表1所示,与替代方案相比,新型UniFET II MOSFET系列器件的反向恢复电荷(Qrr)大幅减少了50%和80%。

表1:待测器件的关键指标比较。

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