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三星在8英寸硅基板上试制出常闭型GaN功率元件

2013-06-08 11:42
龙凰
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          三星电子在直径为8英寸(200mm)的硅基板上,试制出了为栅极加载正电压就会导通的“常闭工作型”GaN功率元件,在功率半导体国际会议“ISPSD2013”(2013年5月26~30日在石川县金泽市举行,日本电气学会主办)上发表了相关演讲(演讲序号:6-4)。制造GaN功率元件使用的硅基板的直径一般为6英寸。将直径增大到8英寸后,可以提高生产效率,削减成本。

  GaN功率元件采用的是由GaN和AlGaN构成的“HEMT构造”。在这种构造下,GaN与AlGaN的接合部会产生二维电子气,难以实现常闭工作。但出于安全性考虑,非常需要电源电路为常闭工作方式。为此,三星在栅极部分设置了p型GaN层,从而实现了常闭工作。

  三星在演讲中介绍的是耐压为670V、阈值电压为2.8V的GaN功率元件。此外,还介绍了封装在TO-220封装中的GaN功率元件,其耐压为850V,阈值电压为3.3V,未公布芯片尺寸,栅极宽度为100μm。

  会场上有人问到电流崩塌特性如何,但三星的演讲者未给出明确回答。

  另外,关于常闭工作型GaN功率元件的用途,三星的演讲者表示“可考虑用于白色家电”。

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