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解析铜核球支援下的半导体封装

导读: 近几年,平板与智慧型手机以超高的人气,在市场需求下急速扩张。伴随着大众对高机能需求的同时,高密度封装技术也同样被追求着,为实现高机能、高密度化,可预想到CSP的尺寸将变得愈来愈薄也愈来愈大,相对的也更期待着3D封装化与大型WL-CSP化等新技术与新材料的出现。

  近几年,平板与智慧型手机以超高的人气,在市场需求下急速扩张。伴随着大众对高机能需求的同时,高密度封装技术也同样被追求着,为实现高机能、高密度化,可预想到CSP的尺寸将变得愈来愈薄也愈来愈大,相对的也更期待着3D封装化与大型WL-CSP化等新技术与新材料的出现。千住金属工业也回应这些要求,准备了许多不同目的及用途的焊材,于SEMI Taiwan中发表。

  所谓的3D封装,是PKG与电子零件,以纵向方式向上接合,基板与零件会在近250°C的回焊炉中反覆的来回。其结果,因钖球熔融,再加上负荷过重,有可能造成钖球与钖球间互相接触而发生电气短路的情况。针对这个课题,千住金属提出了可确实确保空间的铜核球。铜核球中作为核心的铜球,其熔点温度约为1,080°C,即在回焊剂中返覆来回,铜球的形状也不会改变,故能为3D封装保留出一定的空间。并且,在一般电镀工程中所必须用的铜柱,也可以改换成铜核球,以现有设备来进行封装制程。

解析铜核球支援下的半导体封装  

铜核球是由铜球、镀镍层、镀锡层而组成的一种复合式多层次构造的焊锡球。

 解析铜核球支援下的半导体封装 

具耐热疲劳特性的M758能与Chip间的接合更为坚固,是最适合WLCSP用的钖球材料。

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