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GT推HVPE系统加速磊晶生长 资本支出可望减少25%

2013-10-22 14:53
吃瓜天狼
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  LED价格下滑趋势不变,LED晶片厂不断在制程与技术方面进行改善以降低成本,半导体设备厂极特先进科技(GT ADVANCED TECHNOLOGIES)开发取代MOCVD中nGaN和uGaN生长制程的HVPE系统,未来LED晶片厂可以透过增加HVPE系统的方式加速磊晶生长,相较以添购MOCVD方式扩增产能,辅以HVPE系统扩增产能可望为LED晶片厂最高省下25%的资本支出。

  GT已在2013年5月发表利用Soitec Phoenix Labs(Soitec旗下子公司)独家拥有的HVPE专利技术,HVPE技术的特点是生长速率快,能够以较低的成本快速生长nGaN和uGaN,HVPE所用的前驱体(GaCl3)也比MOCVD所需要用的前驱体TMG,便宜10倍,加上HVPE系统在nGaN和uGaN的产出速度较MOCVD快,因此,LED晶片厂未来可以透过增加HVPE系统方式扩增产能。

  GT举例说明指出,一台HVPE的产能相当于2台MOCVD,也就是对于一个已经拥有12台MOCVD的LED晶片厂来说,厂商若希望将产能增加一倍,已往就是采取再度购置12台MOCVD方式达成目标,但现在可以在不添增MOCVD机台下,进而购置6台HVPE系统,以HVPE系统取代nGaN和uGaN的生长制程,同时可以让MOCVD机台专注于其他layer的生长达到产能扩增的目标,这样一来,LED晶片厂购置设备成本将可望明显降低。

  GT指出,HVPE系统可实现蓝宝石基GaN的规模化、低成本生产,估计HVPE系统可降低超过80%的前驱体成本,同时提高昂贵MOCVD制程的产量,最高可以为LED晶片厂降低25%资本支出,HVPE系统预计将于2014年下半年上市。

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