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台湾研究更高光效的近绿光氮化铟镓LED生长转化工艺

导读: 台湾国立成功大学已采用氮化铟镓生长工艺开发出近绿光LED,这使得器件峰值外量子效率达到48.6%。该工艺涉及到氮化铟和氮化镓在2秒爆裂(bursts)时的生长转化。

  台湾国立成功大学已采用氮化铟镓生长工艺开发出近绿光LED,这使得器件峰值外量子效率达到48.6%。该工艺涉及到氮化铟和氮化镓在2秒爆裂(bursts)时的生长转化。

  许多研究人员正在探寻提升绿光LED光效的方法。目前,仍没有生产高效的LED的理想材料,因为黄绿带(gap)存在于砷化物/磷化物器件的红橙和氮化铟镓的蓝色可见光谱之间。

  这种LED材料生长于Thomas Swan 19x2英寸的密配合喷淋头(CCS) MOCVD系统的图案化蓝宝石衬底上。CCS技术的拥有者是爱思强。蓝宝石的图案为直径为3.5μm、间隙为2μm的角锥阵列。角锥高度为1.3μm。

台湾研究更高光效的近绿光氮化铟镓LED生长转化工艺

图1 LED普通架构。

  氮化物半导体有机金属外延源为三甲基镓、三甲基铟和三甲基铝(TMG、TMI、TMA)和氨气((NH3)、氮气。InN/GaN的转化(图2)是在有源发光区多量子阱(MQW)执行。该转化loop包含40个TMG与TMI两秒爆裂环。氨气保持恒定。研究人员在阱生长时也制作出了一颗标准的TMG与TMI恒量MQW(LED I)。

台湾研究更高光效的近绿光氮化铟镓LED生长转化工艺

图2 LEDMQW生长的源转化序列原理图(a)I和(b)II。

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