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GTAT将探讨HVPE氮化镓(GaN)系统的关键元素

导读: GT Advanced Technologies将出席于2013年10月16至17日在台湾台北举行的LED Forum Taipei 2013。届时,GT首席技术官Raghavan博士将与与会者一同探讨高效氢化物气相磊晶(HVPE)氮化镓(GaN)系统的关键元素,以及该系统预期能为制造商带来的优势。

  GT Advanced Technologies将出席于2013年10月16至17日在台湾台北举行的LED Forum Taipei 2013。届时,GT首席技术官Raghavan博士将与与会者一同探讨高效氢化物气相磊晶(HVPE)氮化镓(GaN)系统的关键元素,以及该系统预期能为制造商带来的优势。

  今年5月,GT宣布将利用Soitec Phoenix Labs(Soitec旗下子公司)独家拥有的HVPE专利技术,包括有望降低输送至HVPE反应器的前驱体成本的新颖且先进的源输送系统,开发、生产及商业化HVPE系统。这套HVPE系统可实现蓝宝石基GaN的规模化、低成本生产。GT估计其HVPE系统可降低超过80%的前驱体成本,同时提高昂贵的MOCVD制程的产量,并且最高可降低25%的资本支出。HVPE系统预计将于2014年下半年上市。

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