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抢夺3D晶片先机 三星、东芝角力战

2014-08-04 14:35
kumsing
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     在NAND Flash晶片市场各据一方的东芝与三星电子,为了在新一代3D记忆体晶片市场抢得先机,近日正加紧研发脚步,盼能抢先对手一步突破48层技术门槛并开始量产。

  NAND Flash晶片是目前普遍应用于智慧型手机与PC的记忆体晶片,由三星主导全球市场,其次是市占率第2的东芝。但随着NAND Flash晶片技术逼近最高极限,叁星、东芝早已开始研发新一代记忆体晶片技术。

  相较于2D记忆体晶片的单层结构,3D记忆体晶片能靠多层结构大幅扩充记忆体容量。

  以东芝为例,该公司目标在2019会计年度(2019年4月起)前製造出容量1TB的3D记忆体晶片,相当于目前2D记忆体晶片最大容量的16倍。

  然而,眼前两家公司的3D记忆体晶片技术仍在研发阶段。据业界人士透露,东芝与三星各自研发的3D记忆体晶片技术已在去年达到24层技术门槛,且预计今年升级至32层技术。

  但一名东芝高层透露,「现阶段量产3D记忆体晶片没有意义」,因为采用32层技术的3D记忆体晶片生产成本还太高,价格竞争力不及目前最高规格的2D记忆体晶片。

  观察家认为东芝及三星都立志在明年突破48层技术门槛,一旦突破就会立刻量产,因此在这个节骨眼只要其中一家公司研发进度领先,就可望主导日后的3D记忆体晶片市场。

声明: 本文由入驻维科号的作者撰写,观点仅代表作者本人,不代表OFweek立场。如有侵权或其他问题,请联系举报。

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