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LED芯片倒装工艺原理以及发展趋势

2014-08-05 00:38
苏子言岁月
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  装晶片之所以被称为“倒装”是相对于传统的金属线键合连接方式(WireBonding)与植球后的工艺而言的。传统的通过金属线键合与基板连接的晶片电气面朝上,而倒装晶片的电气面朝下,相当于将前者翻转过来,故称其为“倒装晶片”。

  倒装芯片的实质是在传统工艺的基础上,将芯片的发光区与电极区不设计在同一个平面这时则由电极区面朝向灯杯底部进行贴装,可以省掉焊线这一工序,但是对固晶这段工艺的精度要求较高,一般很难达到较高的良率。

  倒装晶片所需具备的条件:

  ①基材材是硅;②电气面及焊凸在元件下表面;③组装在基板后需要做底部填充。

  倒装芯片与与传统工艺相比所具备的优势:

  通过MOCVD技术在兰宝石衬底上生长GaN基LED结构层,由P/N结髮光区发出的光透过上面的P型区射出。由于P型GaN传导性能不佳,为获得良好的电流扩展,需要通过蒸镀技术在P区表面形成一层Ni-Au组成的金属电极层。P区引线通过该层金属薄膜引出。为获得好的电流扩展,Ni-Au金属电极层就不能太薄。为此,器件的发光效率就会受到很大影响,通常要同时兼顾电流扩展与出光效率二个因素。但无论在什麼情况下,金属薄膜的存在,总会使透光性能变差。此外,引线焊点的存在也使器件的出光效率受到影响。采用GaNLED倒装芯片的结构可以从根本上消除上面的问题。

  倒装LED芯片技术行业应用分析:

  近年,世界各国如欧洲各国、美国、日本、韩国和中国等皆有LED照明相关项目推行。其中,以我国所推广的“十城万盏”计划最为瞩目。路灯是城市照明不可缺少的一部分,传统路灯通常采用高压钠灯或金卤灯,这两种光源最大的特点是发光的电弧管尺寸小,可以产生很大的光输出,并且具有很高的光效。但这类光源应用在道路灯具中,只有约40%的光直接通过玻璃罩到达路面,60%的光通过灯具反射器反射后再从灯具中射出。因此目前传统灯具基本存在两个不足,一是灯具直接照射的方向上照度很高,在次干道可达到50Lx以上,这一区域属明显的过度照明,而两个灯具的光照交叉处的照度仅为灯下中心位置的照度的20%-40%,光分布均匀度低;二是此类灯具的反射器效率一般仅为50%-60%,因此在反射过程中有大量的光损失,所以传统高压钠灯或金卤灯路灯总体效率在70-80%,均匀度低,且有照度的过度浪费。另外,高压钠灯和金卤灯使用寿命通常小于6000小时,且显色指数小于30;LED有着高效、节能、寿命长(5万小时)、环保、显色指数高(>75)等显著优点,如何有效的将LED应用在道路照明上成为了LED及路灯厂家现时最热门的话题。一般而言,根据路灯的使用环境对LED的光学设计、寿命保障、防尘和防水能力、散热处理、光效等方面均有严格的要求。作为LED路灯的核心,LED芯片的制造技术和对应的封装技术共同决定了LED未来在照明领域的应用前景。

  1)LED芯片的发光效率提升

  LED芯片发光效率的提高决定着未来LED路灯的节能能力,随着外延生长技术和多量子阱结构的发展,外延片的内量子效率已有很大提高。要如何满足路灯使用的标准,很大程度上取决于如何从芯片中用最少的功率提取最多的光,简单而言,就是降低驱动电压,提高光强。传统正装结构的LED芯片,一般需要在p-GaN上镀一层半透明的导电层使电流分布更均匀,而这一导电层会对LED发出的光产生部分吸收,而且p电极会遮挡住部分光,这就限制了LED芯片的出光效率。而采用倒装结构的LED芯片,不但可以同时避开P电极上导电层吸收光和电极垫遮光的问题,还可以通过在p-GaN表面设置低欧姆接触的反光层来将往下的光线引导向上,这样可同时降低驱动电压及提高光强。(见图1)另一方面,图形化蓝宝石衬底(PSS)技术和芯片表面粗糙化技术同样可以增大LED芯片的出光效率50%以上。PSS结构主要是为了减少光子在器件内全反射而增加出光效率,而芯片表面粗糙化技术可以减少光线从芯片内部发射到芯片外部时在界面处发生反射的光线损失。目前,LED芯片采用倒装结构和图形化技术,1W功率芯片白光封装后,5000K色温下,光效最高达到134lm/W。

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