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硅衬底GaN LED全球领先 半导体材料市场空间巨大

2015-12-24 06:30
水墨黯月
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  投资要点

  晶能光电硅衬底LED全球领先

  根据2015年6月科技部网站公布的“国家科学技术奖励初评结果”,“硅衬底高光效GaN 基蓝色发光二极管”被初评为技术发明奖一等奖。项目主要完成人之一孙钱博士为晶能光电副总裁和常州公司总经理,项目主要完成人之一王敏博士为晶和照明董事长。实现了LED 关键技术的多项重大突破,在硅衬底LED 领域全球领先。

  硅衬底GaN 是实现高效蓝光发光二极管最佳选择

  目前能用于产业化生产蓝绿光LED 材料的衬底有:蓝宝石(Al2O3)、碳化硅(SiC)和硅(Si)衬底;正在迅速进步且具有潜在产业化生产的衬底有:氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)。其中,SiC 衬底及LED 制备技术被美国公司垄断,蓝宝石衬底技术则主要掌握在日本公司手中,Si 衬底技术已由南昌大学突破。硅衬底是目前外延生长GaN薄膜的最佳选择,目前南昌大学也已在S(i 111)衬底上生长出发光特性能与蓝宝石或SiC 衬底上媲美的GaN 蓝光LED。

  SiC、GaAs/ GaN 、Si 市场竞争格局分析

  除应在LED 领域之外,衬底SiC、GaAs/ GaN 、Si 还广泛应用在太阳能、军工、通信、集成电路等,市场空间巨大。虽然大部分衬底材料被国外垄断,近两年国内企业开始进入衬底材料领域,并且部分企业产业化在即。上市公司包括扬杰科技进入SiC 领域,三安光电进入GaAs/ GaN 领域,上海新阳和兴森科技进入大硅片领域。

  投资建议

  此次硅衬底高光效GaN 基LED 在中国取得重大成就,打破了日、美公司的蓝宝石和碳化硅衬底的技术垄断,形成半导体照明技术三足鼎立的局面。我们看好LED 芯片和封装行业,主要推荐市值小LED 芯片企业包括乾照光电澳洋顺昌,船小好调头;LED 封装龙头聚飞光电。长期看好半导体材料国产化替代,主要推荐的上市公司三安光电(GaAs/ GaN)、扬杰科技(SiC)、上海新阳(Si)

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