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UV LED市场战争爆发征兆:企业抢占LED芯片技术“先机”

2015-12-09 12:04
姚看江湖
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  此外,在多层AlN模块上制备出具有n型和p型InAlGaN层的280nm波长范围的DUV-LED,结果发现,284nmInAlGaN量子阱发射具有极高的内量子效率。在室温下连续波工作,282nmInAlGaNLED的最大输出功率和外量子效率分别是10.6mW和1.2%。而通过引入小于1.6nm的薄膜量子阱,220nm波长范围的DUV-LED的辐射强度取得了突破性进展。在脉冲电流注入下,实现了222nmDUV-LED的单脉冲发光,这是基于蓝宝石衬底所制作出来的波长最短的AlGaNLED。该LED的最大辐射输出功率和EQE分别是14μW和0.003%。

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  Kueller等通过在蓝宝石衬底上制备图形ELOAlN基板,使得蓝宝石上的AlN层的位错密度从1010cm-2减小到109cm-2。由于生长温度可以影响横向生长速率以及聚合厚度,通过两种温度下的两步生长,可以获得厚度最高达11μm的无裂纹层。基于该ELO-AlN基板制作的LED,峰值波长为295nm时,辐射输出功率可达到1.05mW,外量子效率(EQE)约为0.67%;峰值波长为324nm时,辐射功率为3.8mW,EQE为1.1%。

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  NitrideCrystals的研究人员采用氯-氢化物气相外延(CHVPE)技术,在Al2O3衬底上生长GaN/AlGaN异质结构来制备UV-LED。该UV-LED的电流密度可高达125A/cm2。工作电流下,该LED芯片峰值波长在360~365nm范围内,半宽为10~13nm,结温为45℃,封装芯片的辐射输出功率为0.9mW。

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  青岛杰生2010年底建成投产了我国首条波长280nm的DUV-LED生产线,研发生产具有自主知识产权的DUV-LED产品。其自主研发生产了国内首台DUV-LED外延生长设备,打破了该设备一直被国外公司垄断的局面。2014年6月,鸿利光电与青岛杰生达成战略合作协议,双方未来将共同开发DUV-LED市场。此举被视为中游封装企业重视UV-LED而介入该领域的一大标志。

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  厦门大学采用金属有机物气相外延(MOVPE)技术在c面蓝宝石衬底上,引入脉冲原子层外延技术,制备了一系列表面平整度较高的高Al组分AlGaN基异质结构外延片;并采用电子束金属蒸镀技术及优化热退火方法,获得了良好的欧姆接触电极;进一步将外延片制备成LED芯片。通过对量子结构有源层量子阱混晶Al组分的设计和调整,可以分别制备得到主波长为259、275、285、300、315、330nm的LED结构材料。波长259nm的LED结构材料的半宽约为11.3nm。

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