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国家技术发明一等奖得主晶能光电的全球专利布局态势分析

2016-01-20 14:24
棒棒书香
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   随着国家技术发明一等奖的公布,晶能光电的硅衬底技术引起各界的关注,本文通过专利检索,分析晶能光电硅衬底技术专利布局情况,一探究竟。专利检索日期:2016年1月13日。

  本文以“申请人:晶能光电 or LATTIC EPOWER”为关键词检索,获得全球范围内晶能光电相关专利299项,161个专利族,涉及到衬底、外延、芯片结构和工艺、封装以及显示屏应用。

  1.专利布局在2008年达到高峰期,在国内和国外申请专利

  晶能光电的硅衬底相关的第一批硅衬底相关的专利申请,是由南昌大学2005年申请并转让到晶能光电,主要包括外延、芯片以及少量的封装专利,解决外延生长以及光电性能的问题。2006-2008年,是晶能光电专利申请的高峰期,在最初技术研发的基础上,诞生晶能光电的主要基础专利,并在美国、欧洲等地开展同族专利申请,在外延材料、结构、工艺等各个层级申请较多的专利,集成芯片、芯片电极等领域也有专利申请。2009年,大部分专利申请为封装材料以及生产工艺辅助检测、容器等周边设备。2010年以来,专利申请数量维持稳定,在外延芯片结构和工艺改进的基础上,开始出现较多的封装和应用类的专利。

  中国是晶能光电主要专利布局国家,其次是美国和欧洲(如图1-2)。

  从专利申请国别趋势上来看,2005-2008年,是专利申请以及国际布局的高峰年,在美国、韩国、德国等地均有一定数量的专利申请。经过2009年的转折,2011年以后,晶能光电开始在日本展开专利申请。

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