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三大半导体厂2016年支出分析:台积电/三星电子/英特尔增长5.4%

2016-02-22 09:00
老猫
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  由于终端市场需求趋缓,在供给提升速度大于需求增长速度下,TrendForce旗下拓墣产业研究所预估2016年全球晶圆代工产值年增长仅2.1%,半导体大厂的竞争将更加激烈。

  2016年,三大半导体制造大厂资本开支金额预期较去年增长5.4%,其中,英特尔调升30%,达95亿美元;台积电调升17%,达95亿美元;三星则逆势调降15%,来到115亿美元。拓墣表示,今年半导体大厂的资本开支预计至2017年才有机会对营收产生贡献。

  台积电

  专注制程开发、深耕InFo技术

  中国南京厂建置为2016年三大重点

  拓墣表示,半导体三巨头中台积电是唯一的纯晶圆代工厂,与客户无直接竞争关系,可专注于制程技术的开发。

  2016年台积电资本开支约70%用于先进制程的开发,其中大部分用在10纳米制程技术,可见台积电对10纳米制程研发的重视。资本开支的10%则持续投入InFO技术的开发,InFO技术有散热佳、厚度和面积缩小、成品稳定度高的优势,已有少数大客户开始投单,预期未来将有更多客户陆续投入。

  为了就近服务广大的中国市场,台积电规划30亿美元用于中国南京12寸厂的建置,预期在2018年投产。今年南京厂计划先投入5亿美元,2017与2018年将增加投资力道。

  三星电子

  智能手机业务前景不明,

  2016年半导体事业将是重心

  智能手机是三星最重要的业务,在终端市场需求趋缓、手机差异化缩小的情况下,三星受到苹果与中国本土品牌的激烈竞争。根据三星财报显示,2015年营收同比衰退2.6%,净利下滑20.6%。相较智能手机,去年三星的半导体营收同比增长20%、内存年增长17%,大规模集成电路(LSI)业务则同比增长约27.7%,表现十分亮眼。

  拓墣指出,2016年三星的智能手机业务拓展仍不乐观,除加速开发创新业务,将更加重视晶圆代工业务,采取积极抢单的策略。2016年三星115亿美元的资本开支中,大规模集成电路业务会维持与2015年35亿美元的相同水平。

  英特尔

  维持制程领先地位

  扩展内存相关业务

  英特尔虽然在14/16纳米制程技术开发上超车,但台积电与三星若在10纳米的技术上赶超,将使英特尔在CPU产品上面临强大的竞争压力,严重挑战英特尔自1995年来的领先地位。2016年英特尔将持续扩大资本开支以维持制程领先,相关资本开支约达80亿美元。

  在数据中心的竞争中,2015年英特尔与美光联合发表包含3D-NAND与Xpoint等用于内存的技术,此外更宣布投资25亿美元把大连厂打造成内存制造厂。2016年英特尔的资本开支中约有15亿美元将投资在内存相关业务。

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