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近期十大新技术盘点,哪个更牛?

2017-01-18 08:57
瑾年Invader
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近期,业界的各种新技术进展喜讯连连,新技术、新产品层出不穷。下面,我们将最近出现的十大新技术一一盘点,看看哪个更牛X!

麻省理工化学家用LED光改变3D打印对象结构

近日,麻省理工学院的化学家们开发了一种新的3D打印技术,允许改变打印对象的化学结构和多个3D打印对象的化学连接。据悉,该技术可以大大扩展使用3D打印创建的对象的复杂性。

通过使用LED光技术,麻省理工学院的研究人员发现,他们可以改变3D打印对象结构的各种属性,包括它们的刚度和疏水性(它们排斥或吸收水的程度)。通过添加某种类型的单体,化学家也能够使材料响应于温度膨胀或收缩。除此之外,他们能够通过在互连区域上照射光来熔化两个3D打印物体。研究人员说,“这个特定的过程可以用来创造巨大的、化学稳定的3D打印结构,并拥有前所未有的复杂性。”

我国成功研制世界上最亮的极紫外光源

1月15日,中国科学院研制的“大连光源”发出世界上最强的极紫外自由电子激光脉冲,单个皮秒激光脉冲产生140万亿个光子,成为世界上最亮且波长完全可调的极紫外自由电子激光光源。

在这样的极紫外光照射下,区域内几乎所有原子和分子都“无处遁形”。因此,“大连光源”可被用于观测与燃烧、大气以及洁净能源相关的物理化学过程。

中科院副院长王恩哥说,这是中国科学院乃至我国又一项具有极高显示度的重大科技成果,装置中90%的仪器设备均由我国自主研发,标志着我国在这一领域占据了世界领先地位,将大大促进我国在能源、光学、物理、生物、材料、大气雾霾、光刻等多个重要领域研究水平的提升。

研究人员制备出全无机钙钛矿绿光LED,稳定性大幅提高

近日,郑州大学材料物理教育部重点实验室的史志锋副教授等人与吉林大学合作,在新型钙钛矿基发光器件方面取得新进展,成功制备出高效稳定的全无机钙钛矿绿光LED,该器件表现出非常优异的工作稳定性。

对于钙钛矿LED而言,工作稳定性是限制其走向实用化的关键。而目前已报道的钙钛矿基LED均是采用有机或聚合物材料作为电荷注入层,其本身的不稳定性不利于器件在大电流下的长时间工作。郑州大学材料物理教育部重点实验室的史志锋等人创新性地采用无机氧化物半导体作为电荷注入层,首次制备出基于CsPbBr3量子点的全无机异质结构(p-NiMgO/CsPbBr3/n-MgZnO/n+-GaN),该器件的亮度可达3809cd/m2,外量子效率约为2.39%。更重要的是,该多层异质结构器件在无封装、空气环境条件下,可在直流驱动下连续工作10小时以上,其工作稳定性要大大优于采用传统聚合物材料(如PCBM、PEDOT等)作为载流子注入层的钙钛矿LED。该器件结构既可以充分发挥CsPbBr3量子点材料高光学增益的独特优势,又能结合Zn(Mg)O、Ni(Mg)O系薄膜材料工艺成熟、导电稳定和结晶特性良好等优点,对于新型钙钛矿LED的研制及其电致发光的物理机制研究具有重要意义。

南工大科研团队成功研制最高效钙钛矿LED

从南京工业大学获悉,江苏省柔性电子重点实验室黄维院士、王建浦教授团队在钙钛矿发光二极管(LED)研究领域取得重大突破,他们创新性地设计并制备了一种具有多量子阱结构的钙钛矿LED,其器件效率和稳定性远超国际同行报道的其他钙钛矿LED。

有机-无机杂化钙钛矿材料兼具有机和无机半导体材料的优势。针对二维钙钛矿材料发光效率低,三维钙钛矿材料成膜性和稳定性差的问题,黄维院士团队创造性地采用溶液加工方法将无机LED中用于提高器件发光效率的量子阱结构引入到钙钛矿LED中,开发了具有多量子阱结构的钙钛矿发光材料,兼具二维钙钛矿材料成膜质量高和三维钙钛矿材料发光效率高的优点。利用这种维度可调的多量子阱钙钛矿材料,创造了目前钙钛矿LED能量转换效率的世界最高纪录。该工作为钙钛矿材料及其在发光领域的研究开拓了新的研究方向,有望在进一步深入研究的基础上,在未来实现产业化。

研究员设计金字塔形量子点LED,或将推动量子计算发展

日前,爱尔兰廷德尔国家研究所(TyndallNationalInstitute)的研究人员采用可扩展且兼容于代工厂的微影技术工艺,设计出金字塔形的量子点发光二极管(LED),可望为量子运算产生作用与状态相关联的纠缠光子。

创新之处在于设计了一个可伸缩的电动量子点阵列,其采用了易于获得的材料和传统的半导体制造技术。该方法能够实现纠缠光子源位置的直接获取。该方法的关键技术在于量子点的位置控制和大规模制造技术,它们的发展将促进支撑量子计算技术更广泛使用。

研究人员开发出全新纳米薄膜技术,深紫外LED有望低价

俄亥俄州立大学的工程师们开发出了一种柔性、轻量、基于LED的深紫外薄膜原型。它能够包覆在物品上,然后特别有效地杀死有害微生物。研究人员称,这项技术未来有望商业化,带来价格更低、重量更轻、对环境也更友好的深紫外LED。

俄亥俄大学的研究人员们,使用了基于分子束外延方法的全新纳米薄膜技术。借助半导体行业的生长方法(分子束外延),他们在上面培植了一片紧密的铝氮化镓线(其高度在200nm、直径在20-50nm左右),然后用钛、钽材料制成柔性导电纤维。研究人员在测试中发现,在向纳米导线施加电流时,其发出的光线和在生硬的单晶硅上一样亮。

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