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江风益团队再结硕果 黄光LED芯片让世界赞叹

2017-01-23 08:47
Timeless落尘
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 1月22日下午,在乔迁新址的南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心,新华社、人民网、央广网、江西日报、江西卫视、中国江西网等10多家新闻媒体齐聚一堂,对工程中心一年来的工作重要进展进行集体采访。

2016年1月8日,由工程中心牵头申报的“硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管”项目荣获2015年度唯一国家技术发明一等奖,习近平总书记亲自为江风益教授颁奖。2016年2月3日,习近平总书记视察南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心,肯定了科研人员攻科研难题和抓成果转化决心大、目标高、工作实、成效好,并勉励我校走创新发展之路。中共中央政治局委员、国务院副总理刘延东,中共中央政治局委员、中央书记处书记、中宣部部长刘奇葆分别于9月3日和10月14日调研考察南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心。

深受鼓舞,砥砺前行

一年来,工程中心在科学研究及技术攻关、重大科研课题申报、人才队伍和硬件条件建设等方面均取得了可喜的进展。

继“硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管”项目获得国家技术发明一等奖之后,工程中心在黄光、绿光、下一代无荧光粉LED照明以及新型MOCVD高端装备等方面均取得新的突破。硅衬底黄光LED电光转换功率效率达到21.5%,远高于国外公开报道的最高水平(9.63%),处于世界领先水平,使我国LED技术处于“局部领跑”地位,而这一世界最好水平的获得正是基于中心自主研发的新一代MOCVD高端装备。这一新成果应邀在国际国内会议上作大会邀请报告6次,国际同行评价“amazing”(令人惊叹),国内同行评价“又一石破天惊的世界纪录”。

硅衬底绿光LED电光转换功率效率达到40%,处于世界一流水平。基于Ag基反射镜的新型反极光红光LED工艺开发获得重要进展,拓展了研发方向。基于五基色LED合成的下一代LED照明技术已经达到实用化水平,正向着“全面领跑”目标迈进。硅衬底LED和MOCVD高端装备亮相“国家十二五科技成就展”,被列入“国家十三五节能环保产业发展规划”。

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