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沙特展示新技术:提升UV LED效能

2018-07-29 03:38
光与世界
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近日,沙特阿卜杜拉国王科技大学(KAUST)研究团队展示了纳米级氮化铝镓(AlGaN)发光装置。

现有的AlGaN发光装置,被认为是取代现有UV气体激光和含有有毒物质的UV灯的UV灯源。不过,由于装置中的UV激光二极体,电压至少要25伏特才能操作,加上电洞注入层效率不佳,导致串联电阻高,性能受限。这和AlGaN铝层的P型半导体涂层以及缺少有效的散热管道等有关。

研究人员以渐变折射率分布限制结构层(GRINSCH)装置,制作出。与原先的AlGaN磊晶薄膜层相比,纳米级AlGaN表面积对体积比高,形成有效的应力松弛,能直接在包括金属等基质上延展。金属和以矽或蓝宝石包复的金属基质,能在高电流操作过程,提供更好的散热管道。

纳米级P型半导体加入了镁,活化能需求低,因此电阻也相对较小。研究人员希望未来能将纳米级GRINSCH二极体应用在纳米高效能UV LED装置,像是激光、光感测器、调幅器以及积体光学相关装置上。

声明: 本文由入驻维科号的作者撰写,观点仅代表作者本人,不代表OFweek立场。如有侵权或其他问题,请联系举报。

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