侵权投诉
订阅
纠错
加入自媒体

曾经的LED领头羊Cree剥离照明业务 对我国发展化合物半导体有何启示?

2019-03-18 09:15
来源: 赛迪网

2019年3月15日,美国Cree公司宣布将旗下LED照明部门(Cree Lighting)以3.1亿美元出售给美国Ideal Industries公司。Cree出售的业务包括用于商业的LED照明灯具和企业照明解决方案。通过此次业务剥离,Cree公司继续专注化合物半导体射频和功率应用市场,满足5G通信和新能源汽车的市场需求。分析Cree在化合物半导体领域的发展策略,对我国化合物半导体产业发展具有启示作用。

一、Cree出售LED照明业务的背景和原因

(一)LED照明市场已成为竞争红海

一方面,LED照明不再是技术竞争高地。2014年的诺贝尔奖物理学奖颁给了赤崎勇、天野浩和中村修三位科学家,以表彰他们发明了用于照明的蓝色发光二极管(LED)。氮化镓(GaN)材料的突破使得LED成为改变人类照明方式的一次革命。蓝光LED发明后的20余年里,LED灯的性价比不断提高,甚至遵循着类似“摩尔定律”的“海茨法则”。当前LED照明的成本已下降了90%以上,发光效率提升了30倍,使得LED的性能和成本已完全满足照明需求,替代性光源市场渗透率接近50%。LED灯已从技术竞争的高地转为成熟的通用大宗商品。

另一方面,成本控制和市场开拓成为LED照明企业发展的核心竞争力。LED制造环节趋向标准化和通用化,附加价值越来越低。通用电气、欧司朗、飞利浦等国际传统照明龙头企业纷纷出售和剥离LED照明业务。加之龙头企业早期布局的核心发明专利逐渐脱离保护年限,掌握芯片制造产能和强大应用市场的中国LED企业成为行业的主力。三安光电华灿光电、木林森、欧普照明等成为代表企业。根据CSA的数据,2018年我国半导体照明总体产值超过7000亿元,芯片产能超过1200万片/月(折合4英寸)。

(二)Cree在半导体照明市场风光不再

Cree公司曾是LED技术进步的领头羊。依托SiC材料领域的优势,Cree以独有的“SiC衬底LED”技术路线,屡屡打破LED照明的发光效率纪录。Cree于2015年将LED发光效率提升至303lm/W,打破了其在2013年创下的276lm/W的纪录。然而,100-200lm/W的光效已能满足大部分照明场景需求,高发光效率并不能继续提升产品附加值。加之基于“蓝宝石衬底LED”技术路线的LED制造成本持续下跌,Cree在LED市场的竞争优势日益弱化。公司照明业务收入近三年来下滑了近40%。2017年,Cree选择与国内三安光电公司成立合资公司,变相让出了中低功率LED市场。

图1  2016-2019财年Cree公司营业收入(单位:百万美元)

数据来源:公司财报,赛迪智库整理和预测

(三)新兴应用市场驱动化合物半导体产业成长

除了具有出色的发光性能,化合物半导体相对Si器件还具有开关速度快、耐电压高、散热好等特点,在射频和功率器件领域拥有更优异的性能。

在新能源汽车中,使用SiC功率器件可以使充电装置体积缩小80%、重量减轻60%、能量损耗降低25%。特斯拉的Model 3车型中已采用SiC MOSFET作为逆变器的开关器件,替代IGBT器件。在移动通信基站中,使用GaN射频器件可以满足更高通信频段下的通信效率,使每座基站可覆盖的用户提升2倍,单用户的数据传输速率提升10倍。华为公司在4G通信基站中已开始批量使用GaN射频器件,替代LDMOS器件。此外在光伏、风能、家电等应用市场,SiC和GaN器件也有替代市场空间。

2018年,全球SiC功率器件市场规模约为4.5亿美元,全球GaN射频器件市场规模约为5亿美元,5年后的市场规模有望分别达到20亿美元和10亿美元。

1  2  3  下一页>  
声明: 本文系OFweek根据授权转载自其它媒体或授权刊载,目的在于信息传递,并不代表本站赞同其观点和对其真实性负责,如有新闻稿件和图片作品的内容、版权以及其它问题的,请联系我们。

发表评论

0条评论,0人参与

请输入评论内容...

请输入评论/评论长度6~500个字

您提交的评论过于频繁,请输入验证码继续

暂无评论

暂无评论

文章纠错
x
*文字标题:
*纠错内容:
联系邮箱:
*验 证 码:

粤公网安备 44030502002758号