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Verticle发布铜基紫外线LED芯片

        硅谷LED芯片公司Verticle(韩国制造),近日研发一款耐强电流的六边形铜基紫外线LED。该芯片在铜基和氮化镓基紫外线LED之间采用化学芯片分离技术。尽管紫外线LED有诸多优点,但由于其内量子效率较低,紫外线LED光学功率始终不及蓝光LED。

  提高紫外线外延晶片内量子效率并非短期内可以实现的,不过,通过提高输入紫外线LED驱动电流、控制产热,同样可以提高其总功率。Verticle表示紫外线LED的热下垂问题比蓝光LED更为突出,故降低结温为公司现在主要面临的挑战。

  为了提高注入电流和散热水平,Verticle紫外线LED芯片采用铜基底。如图,铜基垂直芯片的热阻(Rth)为2K/W,低于氮化镓/硅垂直芯片。所以,氮化镓/铜结温(Tj)低于氮化镓/硅。当注入电流为350mA时,两芯片间结温差为2摄氏度,然而,注入电流为1A时,结温差更大。

  公司通过测试指出,采用相同外延片的情况下,垂直铜基紫外线LED芯片比水平铜基紫外线LED芯片辐射通量高。而且,铜基紫外线LED芯片的耐受驱动电流高于其他材质垂直芯片。例如:注入电流1A时,氮化镓/铜紫外线LED芯片不饱和,而氮化镓/蓝宝石芯片在注入电流超过500mA后开始饱和。这表明氮化镓/铜芯片比其他材质基底氮化镓芯片的散热能力更强,为需要高注入电流和良好散热性能的应用提供了独特的技术优势。

  Verticle公司六边形紫外线LED芯片(尺寸45mil),其392纳米波长时辐射通量测量值分别为:350mA注入电流时416mW、700mA注入电流时787mW、1A注入电流时1025mW。此外,公司还指出,六边形“蜂巢状”芯片通过圆形透镜封装,在近圆形光束轮廓的作用下,能够提供更高的光效率。
 

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