Verticle发布铜基紫外线LED芯片

2013-05-17 16:42

硅谷LED芯片公司Verticle（韩国制造），近日研发一款耐强电流的六边形铜基紫外线LED。该芯片在铜基和氮化镓基紫外线LED之间采用化学芯片分离技术。尽管紫外线LED有诸多优点，但由于其内量子效率较低，紫外线LED光学功率始终不及蓝光LED。

　　提高紫外线外延晶片内量子效率并非短期内可以实现的，不过，通过提高输入紫外线LED驱动电流、控制产热，同样可以提高其总功率。Verticle表示紫外线LED的热下垂问题比蓝光LED更为突出，故降低结温为公司现在主要面临的挑战。

　　为了提高注入电流和散热水平，Verticle紫外线LED芯片采用铜基底。如图，铜基垂直芯片的热阻(Rth)为2K/W，低于氮化镓/硅垂直芯片。所以，氮化镓/铜结温(Tj)低于氮化镓/硅。当注入电流为350mA时，两芯片间结温差为2摄氏度，然而，注入电流为1A时，结温差更大。

　　公司通过测试指出，采用相同外延片的情况下，垂直铜基紫外线LED芯片比水平铜基紫外线LED芯片辐射通量高。而且，铜基紫外线LED芯片的耐受驱动电流高于其他材质垂直芯片。例如：注入电流1A时，氮化镓/铜紫外线LED芯片不饱和，而氮化镓/蓝宝石芯片在注入电流超过500mA后开始饱和。这表明氮化镓/铜芯片比其他材质基底氮化镓芯片的散热能力更强，为需要高注入电流和良好散热性能的应用提供了独特的技术优势。

　　Verticle公司六边形紫外线LED芯片（尺寸45mil)，其392纳米波长时辐射通量测量值分别为：350mA注入电流时416mW、700mA注入电流时787mW、1A注入电流时1025mW。此外，公司还指出，六边形“蜂巢状”芯片通过圆形透镜封装，在近圆形光束轮廓的作用下，能够提供更高的光效率。