侵权投诉
订阅
纠错
加入自媒体

日本萨姆肯公司推出新型SiC加工处理生产刻蚀系统

  日本上市公司萨姆肯(Samco)发布了新型晶片盒生产蚀刻系统 ,处理SiC加工,型号为RIE-600iPC。

  系统主要应用在碳化硅功率仪器平面加工、SiC  MOS结构槽刻蚀形成晶圆刻蚀SiC和SiO2掩膜刻蚀。

  新系统是以用来研发和半生产的RIE-600iP平台为基础的,该平台技术已被证明。

  碳化硅是耐压的宽能隙半导体,能在高温下顺利运作,加工面对的挑战有侧壁平滑保护、高刻蚀率条件下的刻蚀剖面,同时要维持足够高的刻蚀掩面选择性。

日本萨姆肯公司推出新型SiC加工处理生产刻蚀系统  

RIE-600iPC 生产刻蚀系统

  RIE-600iPC系统在高真空条件下采用大功率高密度射频电浆(高达3kW)Tornado ICP线圈专利技术。可调节高度下电极和高容量真空泵(1,300公升/秒)使得碳化硅刻蚀加工快速、具有良好的均匀性,并且新型系统为客户提供宽敞的加工窗口。

  系统的真空盒室舱同时支持25个6英寸晶圆,经由转换室/加载互锁真空室自动传递晶圆到处理室。真空盒室舱提供更高的加工和生产效率。

  萨姆肯公司在碳化硅和相关物质国际会议上介绍了RIE-600iPC新型系统,这个会议在日本宫崎市凤凰喜凯亚度假村举行。

  萨姆肯公司是一家为半导体产业提供刻蚀、CVD和清洗系统的供应商,已经着眼于成为下一代功率设备处理仪器的领先供应商。
 

声明: 本网站所刊载信息,不代表OFweek观点。刊用本站稿件,务经书面授权。未经授权禁止转载、摘编、复制、翻译及建立镜像,违者将依法追究法律责任。

发表评论

0条评论,0人参与

请输入评论内容...

请输入评论/评论长度6~500个字

您提交的评论过于频繁,请输入验证码继续

暂无评论

暂无评论

文章纠错
x
*文字标题:
*纠错内容:
联系邮箱:
*验 证 码:

粤公网安备 44030502002758号