日本Dowa开发出1300 nm波段近红外芯片

2018-09-10 09:35

据外媒报道，日本Dowa Electronics Corporation日前表示，已经开发出1300 nm波段的近红外芯片。Dowa表示，该新型芯片尺寸是之前型号的3.5倍，其输出功率为6.8 mW。据称，Dowa已经开始为该新型芯片提供样品。

值得注意的是，使用LED的各种光学传感器具有尺寸小、省电以及使用长寿命等优点。此外，波长范围为800nm至2000nm的近红外光可以高度渗透用于光学传感器应用的生物体，包括农作物和食品的分析、以及健康和医学应用等。Dowa预计，在医疗领域，这种近红外LED的市场将会继续扩大。例如，近红外LED可用于测量血糖而无需采血样的传感器。

Dowa声称，其新开发的中心波长为1300 nm波段的近红外LED芯片极大地增加了向顶部表面的光输出，而这则是传感器应用所必需的；与此同时，近红外LED还实现了高功率输出。

Dowa计划进一步扩展这些技术，在未来生产中心波长分别为1450 nm和1650 nm的近红外LED，从而进一步完善其近红外发射器产品阵容。