加码新技术 三安设立Mini/Micro LED研发基地
2019-08-21 11:42
来源：
OFweek半导体照明网
据业内人士称，三安光电目前正在中国中部建设一个Mini/Micro LED研发基地，投资额为120亿元人民币（17亿美元）。
消息人士表示，三安将在该研发基地展开GaN和GaAs Mini/Micro LED芯片以及4K显示器的研发。与此同时，三安还计划在该基地建立161万个GaN Mini/Micro LED芯片、750,000个GaAs Mini/Micro LED芯片以及84,000个4K显示器的年生产能力。GaN业务部门年产能将包括720,000个蓝光Mini LED芯片、90,000个蓝光Micro LED芯片、720,000个绿光Mini LED芯片和80,000个绿光Micro LED芯片，而GaAs业务部分年产能将包括660,000个红光Mini LED芯片和90,000个红光Micro LED芯片。
然而，消息人士指出，三安光电目前尚未透露何时开始生产GaN和GaAs Micro LED芯片。
此外，三安光电已经与三星电子合作，共同开发Mini/Micro LED技术。
而总部位于中国台湾的PlayNitride，则计划在2019年8月底开始试产多达3000片LED外延片，而三星也已选择PlayNitride作为其Micro LED外延片的独家供应商。
分享
声明：
本网站所刊载信息，不代表OFweek观点。刊用本站稿件，务经书面授权。未经授权禁止转载、摘编、复制、翻译及建立镜像，违者将依法追究法律责任。
图片新闻
最新活动更多
-
即日-12.26火热报名中>> OFweek2024中国智造CIO在线峰会
-
限时免费立即试用>> 燧石技术，赋光智慧，超越感知
-
7.30-8.1马上报名>>> 【展会】全数会 2025先进激光及工业光电展
-
精彩回顾立即查看>> 2024 智能家居出海论坛
-
精彩回顾立即查看>> 2024视觉感知技术在半导体与印刷包装创新大会
-
精彩回顾立即查看>> 【在线研讨会】功率半导体参数提取及建模仿真
发表评论
请输入评论内容...
请输入评论/评论长度6~500个字
暂无评论
暂无评论