侵权投诉
订阅
纠错
加入自媒体

IFWS2019丨超宽禁带半导体技术论坛11月26日召开

以金刚石、氧化镓、氮化铝、氮化硼等为代表的超宽禁带半导体材料的研究和应用,近年来不断获得技术的突破。超宽带半导体材料具有更高的禁带宽度、热导率以及材料稳定性,在新一代深紫外光电器件、高压大功率电力电子器件等意义重大的应用领域具有显著的优势和巨大的发展潜力。

2019年11月25-27日,第十六届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA 2019)暨2019国际第三代半导体论坛(IFWS 2019)将在深圳会展中心举行。本届论坛由国家半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)、第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)主办。深圳第三代半导体研究院与北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司共同承办。

作为论坛的重要组成部分,本届“超宽禁带半导体技术”论坛将于2019年11月26日上午深圳会展中心·五层玫瑰厅2 召开。本分会着重研讨超宽禁带半导体材料的制备、工艺技术、关键设备及半导体器件应用,旨在搭建产业、学术、资本的高质量交流平台,共同探讨超宽禁带半导体材料及器件应用发展的新技术、新趋势,积极推动我国超宽禁带半导体材料和器件应用的发展。

声明: 本文系OFweek根据授权转载自其它媒体或授权刊载,目的在于信息传递,并不代表本站赞同其观点和对其真实性负责,如有新闻稿件和图片作品的内容、版权以及其它问题的,请联系我们。

发表评论

0条评论,0人参与

请输入评论内容...

请输入评论/评论长度6~500个字

您提交的评论过于频繁,请输入验证码继续

暂无评论

暂无评论

半导体照明 猎头职位 更多
文章纠错
x
*文字标题:
*纠错内容:
联系邮箱:
*验 证 码:

粤公网安备 44030502002758号