百亿元投资、技术突破 !韩国Micro LED提速前进
2022
06·09
行家说快讯:
近期,韩国Micro LED进度提速,在技术突破、投资等方面又迎新进度。
五年投143亿韩元,韩国发力Micro LED
据韩媒报道,韩国京畿道政府计划在韩国光学技术研究院京畿分院建设"京畿合作中心"项目,以供当地显示、LED、半导体企业进入Micro LED显示产业。
新闻指出,项目将支持开发应用70微米以下LED的高端电视、可穿戴设备和车载显示器所需的设备和服务。
项目计划到2026年之前总投资143亿韩元。京畿道政府预计,通过五年的项目建设,省内中小企业能够以"京畿合作中心"项目为核心,有效进入Micro LED显示产业前沿,确保企业竞争力。
据介绍,京畿道拥有韩国最多光学技术相关产业,共670个,占全国比重达37.5%。
京畿道政府官员表示,Micro LED是继OLED之后的下一代显示平台,在市场初期具有巨大的成长潜力,各国之间的竞争激烈,政府计划将"京畿合作中心"项目打造成Micro LED核心产业发展基地,在全球新市场上进行布局,实现Micro LED零部件的国产化。
韩企Soft-Epi宣布出货Micro LED用红色GaN外延片
韩国不仅资金上大力支持Micro LED产业化发展,近期在Micro LED研究方面更是获重大突破。
据韩国媒体报道,韩国GaN技术开发商Soft-Epi宣布正在出货Micro LED用红色GaN外延片。
资料显示,Soft-Epi成立于2012年,是一家专门使用MOCVD设备进行GaN基外延生长的韩国公司,产品涵盖红、绿、蓝色LED外延片,Micro LED外延片,功率器件外延片,UV LED外延片、芯片、封装等。
值得一提的是,Soft-Epi在5月初才刚宣布成功开发并发布了韩国首个可提升Micro LED性能的红色GaN外延片。可以看到,Soft-Epi在红色GaN外延片业务上的进展迅速。
图片来源:Soft-Epi官网
Soft-Epi表示,公司具有突破性的红色GaN外延片技术,可使用现有的MOCVD设备进行红光LED的批量生产,而无需额外的设备投资。
目前,红光Micro LED普遍采用AlGaInP材料制作,由于AlGaInP材料高表面复合率,红光Micro LED效率会随着芯片尺寸变小而急剧下降。此外,由于AlGaInP材料的机械性能较弱,会大幅降低Micro LED巨量转移的良率。另外,晶圆成本高也会增加Micro LED制程的成本。
相较之下,InGaN材料具有宽带隙可调、机械稳定性高及空穴扩散长度较短等优点,并且能与InGaN蓝光和绿光LED兼容,有利于实现Micro LED的全彩化,近几年来在Micro LED领域已获得广泛的关注。
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原文标题 : 百亿元投资、技术突破 !韩国Micro LED提速前进
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