百亿元投资、技术突破 ！韩国Micro LED提速前进
2022
06·09
行家说快讯：
近期，韩国Micro LED进度提速，在技术突破、投资等方面又迎新进度。
五年投143亿韩元，韩国发力Micro LED
据韩媒报道，韩国京畿道政府计划在韩国光学技术研究院京畿分院建设＂京畿合作中心＂项目，以供当地显示、LED、半导体企业进入Micro LED显示产业。
新闻指出，项目将支持开发应用70微米以下LED的高端电视、可穿戴设备和车载显示器所需的设备和服务。
项目计划到2026年之前总投资143亿韩元。京畿道政府预计，通过五年的项目建设，省内中小企业能够以＂京畿合作中心＂项目为核心，有效进入Micro LED显示产业前沿，确保企业竞争力。
据介绍，京畿道拥有韩国最多光学技术相关产业，共670个，占全国比重达37．5％。
京畿道政府官员表示，Micro LED是继OLED之后的下一代显示平台，在市场初期具有巨大的成长潜力，各国之间的竞争激烈，政府计划将＂京畿合作中心＂项目打造成Micro LED核心产业发展基地，在全球新市场上进行布局，实现Micro LED零部件的国产化。
韩企Soft－Epi宣布出货Micro LED用红色GaN外延片
韩国不仅资金上大力支持Micro LED产业化发展，近期在Micro LED研究方面更是获重大突破。
据韩国媒体报道，韩国GaN技术开发商Soft－Epi宣布正在出货Micro LED用红色GaN外延片。
资料显示，Soft－Epi成立于2012年，是一家专门使用MOCVD设备进行GaN基外延生长的韩国公司，产品涵盖红、绿、蓝色LED外延片，Micro LED外延片，功率器件外延片，UV LED外延片、芯片、封装等。
值得一提的是，Soft－Epi在5月初才刚宣布成功开发并发布了韩国首个可提升Micro LED性能的红色GaN外延片。可以看到，Soft－Epi在红色GaN外延片业务上的进展迅速。
图片来源：Soft－Epi官网
Soft－Epi表示，公司具有突破性的红色GaN外延片技术，可使用现有的MOCVD设备进行红光LED的批量生产，而无需额外的设备投资。
目前，红光Micro LED普遍采用AlGaInP材料制作，由于AlGaInP材料高表面复合率，红光Micro LED效率会随着芯片尺寸变小而急剧下降。此外，由于AlGaInP材料的机械性能较弱，会大幅降低Micro LED巨量转移的良率。另外，晶圆成本高也会增加Micro LED制程的成本。
相较之下，InGaN材料具有宽带隙可调、机械稳定性高及空穴扩散长度较短等优点，并且能与InGaN蓝光和绿光LED兼容，有利于实现Micro LED的全彩化，近几年来在Micro LED领域已获得广泛的关注。
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原文标题 : 百亿元投资、技术突破 ！韩国Micro LED提速前进
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