行家说快讯：

7月，兆驰半导体接连斩获12项国家发明专利授权，展示了兆驰半导体LED芯片“硬科技”与“软实力”。

兆驰半导体一方面不断提升产能和销量，一方面持续发力技术创新。
随着国家相关政策的出台，LED行业新格局加速形成，Mini／Micro LED、植物照明等前沿技术的应用为新兴市场的发展提供了重要动力。近日，兆驰半导体专利半年度总结会议顺利进行，公司年度专利目标超前达成，进一步巩固公司在新兴应用市场的技术优势，增强公司的核心竞争力。

科技创新屡添佳绩 斩获多项国家专利

兆驰半导体自成立以来便致力于企业自主创新发展，持续加大研发力度，相继攻克几十道技术难关，特别是2021年实行全员创新以来，半年内申请200多项自主研发技术专利，形成了拥有自主产权的产品保护体系。

仅在2022上半年，兆驰半导体便收获国家知识产权局颁发的各类创新专利证书30余项，其中包含12项国家发明专利，16项实用新型创新专利，2项外观设计专利。一项项专利、一道道创新方法和工艺，都是兆驰半导体高研发投入的成果，更是兆驰半导体科技创新实力的彰显。

坚持技术先行 让产品更具“含金量”

强研发，以技术取胜。据兆驰半导体介绍，公司打造的江西省化合物半导体光电器件工程研究中心，联合平片厂、PSS图案化衬底、外延厂、芯片厂等4个工厂，不断创新工艺、关键技术攻关，“智”造出高亮度、寿命长、可靠性更高，寿命更长等优点的LED芯片

Mini LED RGB系列产品

具备高亮度、高可靠性、寿命长、耐金属迁移、焊盘高结合性等特点，突破一系列技术壁垒；红光Mini LED制程单片吸附式气压抛光等关键技术，研发出具有自发光、更薄、色域更广、对比度更高、寿命长、可靠性更高，寿命更长等优点的显示芯片，实现RGB产品极速量产，且产品品质得到多家龙头客户认可。

ODR银镜倒装高光效芯片

兆驰半导体做了大量的技术升级。在深入研究了Ag镜倒装芯片的技术结构后，对此结构中存在的亮度损失的问题，通过创新技术工艺，实现了Ag反光层与P－GaN直接接触，解决了二者之间欧姆接触和附着性的问题，从而去掉了损失亮度的ITO层，使产品在光效、耐大电流方面有更卓越表现，成为银镜倒装芯片产品的核心技术。

倒装DBR背光芯片

倒装锡球电极结构技术芯片，兆驰半导体也已经具备成熟的技术。目前已具有完整的倒装系列产品，可应用于COB、灯丝、灯带照明以及高端TV背光和闪光灯等产品上。该系列产品散热性好，抗静电、耐大电流，产品寿命更长。考虑到封装端的需求，兆驰倒装DBR产品还采用芯片刷锡工艺，提供带锡球电极结构的芯片，可免刷锡，直接在基板上键合，成为客户的省心之选。

高光效照明芯片

兆驰半导体不断追求极致出光效率，作为全球首个量产纳米压印PSS技术的公司，兆驰以自身PSS产品为基础，开发出光效极高的复合衬底；同时优化自身外延厂生长程序，以独有技术，引入低碳过渡层，同时优化了缓冲层长法，提升外延晶体质量，再搭配有源区LGR生长技术，大幅度提升外延光效，已开发出高光效专用外延，再综合芯片段所有先进高亮技术，让产品光效再提升一个档次。据兆驰半导体透露，其正装芯片最高光效可达230lm／W。

外延结构方面

兆驰半导体坚持技术先行，一直保持一支外延菜单可以兼顾不同电流密度产品。目前，该项技术发明专利已公开实审核中；2022年Q2，兆驰半导体外延研发进一步优化，打破行业传统的气流模型，通过减少气量以及改变比例提高MO源的利用效率，同时缩短程式时间。在不影响性能以及亮度的同时产能提升9％，物料消耗降低9％，为业内首项专利布局。

在质量方面，兆驰半导体从核心设备、原材料甄选，到产品研发、制造、检验、性能测试等，严把质量关，全面贯彻高端品质，于细节处彰显工匠精神。

技术创新，引领兆驰半导体高质量发展。众多国家专利和创新成果不仅体现了兆驰半导体强大的科技创新实力，更是推动兆驰半导体不断“向新而生”、“向高而攀” “向远而行”，开启突围发展。

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       原文标题 : 连获12项国家发明专利授权，兆驰半导体再添佳绩