行家说快讯：

近日，Micro LED技术领域迎来了两项重要突破。其中：

■ JBD红光Micro LED亮度突破75万尼特；

■ 韩国科学技术院（KAIST）使用聚焦离子束等技术开发出0．5μm像素的Micro LED。       

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JBD红光Micro LED亮度突破75万尼特

近日，JBD宣布其在Micro LED芯片表面处理技术方面取得了重大突破，在同功耗情况下，Micro LED亮度实现了再度突破，由50万尼特提升至75万尼特，且保持了优良的可靠性。

JBD透露，预计将在2023年中期量产该项技术，并计划将其应用于一款体积仅有0．4cc的超微型彩色光引擎，该光引擎将于5月份在美国洛杉矶SID Display Week亮相。

据悉，该光引擎体积仅有0．4cc（立方厘米），重量仅有1．0克，但可以输出超过4 流明的光通量。光引擎标准视场角30°，支持25°～45°视场角定制。

搭配市面的高光效波导，可以得到入眼2000尼特的超高亮度，且功耗可低至260毫瓦，支持智能眼镜（Smart Glasses）的全天使用。

JBD表示，相较于LCoS和DLP，因其背光源的特点，实现的光引擎体积至少要2～3cc，又因背光源需要长时间点亮，所以功耗一般在500毫瓦以上。0．4 cc光引擎突破了技术屏障，同时实现智能眼镜对光引擎“轻小”、“高亮”、“低功耗”、“低成本”的苛刻要求。        

据JBD介绍，截至目前JBD出货已超100万颗Micro LED微显示屏，加之合肥工厂投产在即，投产后将助力JBD实现年产1．2亿个面板的产能建设。   

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KAIST开发出0．5μm像素Micro LED

韩国科学技术院（KAIST）2月22日宣布，由物理系 Cho Yong－hoon 教授领导的团队使用聚焦离子束等技术实现了0．5μm像素超高分辨率Micro LED，这还不到人类头发厚度（约 100μm）的1／100。

技术方面，KAIST研究团队新开发了亚微米级像素化技术，即使用聚焦离子束创建亚微米级超小像素，可有效避免传统蚀刻法带来的各种缺陷，无需任何预处理或后处理。

聚焦离子束是广泛用于超高倍率成像或纳米结构制造的技术，它不会引起材料表面的结构变形，并允许自由设置像素形状。

但由于光束击中的区域及其周围的发光迅速减少，很难使用LED等发光体。KAIST研究团队通过使用减弱的聚焦离子束解决了这个问题。

据悉，上述研究成果于13日在线发表于材料科学领域的世界知名学术期刊《Advanced Materials》。

据行家说Display了解，2022年，KAIST也公开过多项Micro LED研究成果。

其中，2022年7月，KAIST宣布，由电气电子工程学院的Sang－Hyun Kim教授领导的研究团队利用单片式3D集成技术，成功研发了1600 PPI等效Micro LED显示器，可用于AR／VR。

该研究还获得了三星未来技术开发中心的支持。

2022年11月，KAIST宣布，研究所的研究人员开发了一种 Micro LED 可穿戴贴片，可抑制由紫外线诱导的黑色素生成，这种深色素的生成可导致皮肤病。

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       原文标题 : 0.5?像素，75万尼特，这两项Micro LED技术取得重要突破！