6月8日，三安光电发布公告称，本公司全资子公司湖南三安半导体有限责任公司（以下简称“湖南三安”）为加快布局车规级碳化硅芯片，决定在重庆设立全资子公司重庆三安半导体有限责任公司（暂定名，最终以有权机关核准为准，以下简称“重庆三安公司”），主要从事生产碳化硅衬底，项目预计投资总额70亿元人民币，具体将根据项目建设进度陆续投入。该项目注册资本为18亿元人民币，湖南三安以自有资金分期缴纳出资，首期出资5－10亿元人民币。

一、对外投资概述

（一）对外投资的基本情况

鉴于湖南三安与意法半导体（中国）投资有限公司（以下简称“意法半导体”）签署《合资协议》（详见同日披露的公司关于全资子公司签署《合资协议》暨成立合资公司的公告），湖南三安（或其指定方）将为该合资公司供应衬底并签署协议，本公司 （或湖南三安的其他关联公司）承诺，保证湖南三安遵照合资协议和衬底供应协议履约。

经本公司董事会研究，同意湖南三安在重庆设立全资子公司重庆三安半导体有限责任公司，预计投资总额人民币70亿元，将根据合资公司的进度陆续投入。该项目注册资本为18亿元人民币，湖南三安以自有资金分期缴纳出资，首期出资5－10亿元人民币，主要从事生产碳化硅衬底，达产后，规划生产8吋碳化硅衬底48 万片／年。

（二）审批程序

该投资事项已经本公司2023年6月7日召开第十届董事会第三十二次会议审议通过，尚需本公司股东大会批准。

（三）该事项不构成关联交易，也不构成《上市公司重大资产重组管理办法》规定的重大资产重组。

二、投资标的基本情况

1、标的公司名称：重庆三安半导体有限责任公司

2、企业类型：有限责任公司

3、法定代表人：蔡文必

4、注册资本：人民币18亿元，湖南三安以自有资金分期缴纳出资。

5、经营范围：主要从事碳化硅衬底的研发、生产和销售。（最终以有权机关核准为准）

三、对外投资对上市公司的影响

本公司主要从事化合物半导体材料的研发与应用，碳化硅产品线的进一步扩产布局，巩固和加强本公司在电力电子领域的行业地位和影响力，加快化合物半导体集成电路业务发展，打造具备国际竞争力的半导体厂商。

本次投资，扩大产能以保证合资公司衬底的使用，将有利于扩大公司营收规3模，提高本公司产品市场占有率，提高本公司盈利能力。本次合资项目符合国家产业政策规划，符合本公司产业发展方向和发展战略，有利于提升本公司行业地位及核心竞争力。

四、对外投资的风险分析

1、项目投资金额较大，资金来源主要自筹，资金能否如期筹措到位存在不确定性，筹措资金可能会导致本公司资产负债率上升；

2、投资周期较长，实际投产和达产时间具有不确定性，合资协议能否按照约定的内容顺利执行及效益的实现存在不确定性；

3、公司管理层就本次合资项目的可行性及风险进行了充分的研究论证，认为该项目具有可行性；拟签署的合资协议及相关协议内容合法合规，协议的相关条款是双方谈判的最终结果，不存在对上市公司股东显失公平的情形，且管理层已对条款存在的风险进行了充分评估并制定了相关应对措施；该项目虽尚未取得国家相关部委评审，但公司管理层承诺会与国家主管部门进行沟通，确保政策合规性；

4、该事项已经本公司第十届董事会第三十二次会议审议通过，尚需本公司股东大会审议批准，本公司将根据有关规定及时履行信息披露义务。